[发明专利]一种低噪声放大器和射频前端电路

权利要求书

1.一种低噪声放大器，其特征在于，包括依次级联的输入匹配电路、第一级放大晶体管、第一级间匹配电路、第二级放大晶体管、第二级间匹配电路、第三级放大晶体管和输出匹配电路；

所述第一级放大晶体管、所述第二级放大晶体管和所述第三级放大晶体管均用于对其栅极输入的信号进行放大；

所述输入匹配电路与信号输入端相连，所述输入匹配电路用于实现所述信号输入端与所述第一级放大晶体管的栅极之间的阻抗匹配；所述第一级间匹配电路用于实现所述第一级放大晶体管的漏极与所述第二级放大晶体管的栅极之间的阻抗匹配；所述第二级间匹配电路用于实现所述第二级放大晶体管的漏极与所述第三级放大晶体管的栅极之间的阻抗匹配；所述输出匹配电路与信号输出端相连，所述输出匹配电路用于实现所述第三级放大晶体管的漏极与所述信号输出端之间的阻抗匹配；

其中，所述第一级间匹配电路的匹配频点为次高频点；所述第二级间匹配电路的匹配频点为高频点。

2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一级放大晶体管、所述第二级放大晶体管和所述第三级放大晶体管均包括GaAs基PHEMT晶体管。

3.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，还包括源极负反馈电路，所述源极负反馈电路与所述第一级放大晶体管的源极相连；

所述源极负反馈电路包括第一微带线。

4.根据权利要求1或3所述的低噪声放大器，其特征在于，所述输入匹配电路包括第二微带线和第一隔直电容；

所述信号输入端与所述第一隔直电容的第一端相连，所述第一隔直电容的第二端与所述第一级放大晶体管的栅极相连；所述第二微带线的第一端与所述第一级放大晶体管的栅极相连，所述第二微带线的第二端与第一电压端相连。

5.根据权利要求4所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一级间匹配电路包括第三微带线、第四微带线、第二隔直电容、第五微带线、第六微带线、第七微带线和第八微带线；

所述第三微带线的第一端与所述第一级放大晶体管的漏极相连，所述第三微带线的第二端与所述第二隔直电容的第一端和所述第四微带线的第一端相连，所述第四微带线的第二端与第二电压端相连，所述第二隔直电容的第二端与所述第五微带线和所述第六微带线的第一端相连，所述第六微带线的第二端与所述第七微带线和所述第八微带线的第一端相连，所述第七微带线的第二端与第三电压端相连，所述第八微带线的第二端与所述第二级放大晶体管的栅极相连；

其中，所述第三微带线、所述第四微带线和所述第二隔直电容构成T型结构，所述第五微带线、所述第六微带线、所述第七微带线和所述第八微带线构成Π型结构，所述第一级间匹配电路构成T型级联Π型的匹配结构。

6.根据权利要求5所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第二级间匹配电路包括第一电阻、第九微带线、第十微带线、第三隔直电容和第二电阻；

所述第一电阻的第一端与所述第二电压端相连，所述第一电阻的第二端与所述第九微带线的第一端相连，所述第九微带线的第二端与所述第二级放大晶体管的漏极相连；所述第三隔直电容的第一端与所述第二级放大晶体管的漏极相连，所述第三隔直电容的第二端与所述第三级放大晶体管的栅极和所述第十微带线的第一端相连，所述第十微带线的第二端与所述第二电阻的第一端相连，所述第二电阻的第二端与所述第三电压端相连；

其中，所述第九微带线、所述第三隔直电容和所述第十微带线构成LCL型匹配结构。

7.根据权利要求6所述的低噪声放大器，其特征在于，所述输出匹配电路包括第四隔直电容和第十一微带线；

所述第四隔直电容的第一端与所述第三级放大晶体管的漏极相连，所述第四隔直电容的第二端与所述信号输出端相连，所述第十一微带线的第一端与所述第三级放大晶体管的漏极相连，所述第十一微带线的第二端与所述第二电压端相连。

8.根据权利要求7所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一隔直电容、所述第二隔直电容、所述第三隔直电容和所述第四隔直电容的电容值范围为0.2pF-0.6pF。