[发明专利]用于双自由层读头的有效后硬偏置

说明书

本发明题为“用于双自由层读头的有效后硬偏置”。本公开大体上涉及具有双自由层(DFL)传感器的读头。所述读头具有安置于两个屏蔽件之间的传感器。所述传感器是DFL传感器且具有在面对介质的表面(MFS)处的表面。在所述DFL传感器后方且远离所述MFS的是后硬偏置(RHB)结构。所述RHB结构也安置于所述屏蔽件之间。在所述DFL传感器与所述RHB结构之间的是绝缘材料。RHB安置于所述绝缘材料上。所述RHB包含RHB晶种层以及RHB主体层。所述RHB晶种层具有26埃与35埃之间的厚度。所述RHB晶种层确保所述读头具有可均匀地施加的强RHB磁场。

技术领域

本公开的实施例大体上涉及具有后硬偏置(rear hard bias，RHB)结构的双自由层(dual free layer，DFL)隧道磁阻(tunnel magnetic resistive，TMR)读头。

背景技术

读头通常包含反铁磁(antiferromagnetic，AFM)层，这导致屏蔽件之间的相当大间距。无AFM层的读头可收缩屏蔽件之间的距离，同时也消除来自AFM晶粒中的热波动的头不稳定性。

一种此类读头是具有双自由层(DFL)传感器的DFL读头。DFL读头不具有AFM层，而是具有通过在屏蔽件之间的传感器的任一侧上的反铁磁耦合(antiferromagneticallycoupled，AFC)软偏置(soft bias，SB)结构而纵向个别地稳定的两个自由层。当在条带后边缘处由永久磁性或后头偏置(RHB)结构横向地偏置时DFL传感器在剪刀模式中操作，所述结构递送具有自我噪声消除的读出振幅的两倍高。DFL读头中的一个主要挑战在于RHB提供强场。RHB场不仅需要是强的，而且需要均匀地施加以使自由层能够在剪刀模式中操作。当在剪刀模式中操作时，DFL读头可递送大得多的读出振幅和减少的磁噪声。

因此，此项技术中需要具有可均匀地施加的强RHB磁场的改进的DFL读头。

发明内容

本公开大体上涉及具有双自由层(DFL)传感器的读头。所述读头具有安置于两个屏蔽件之间的传感器。所述传感器是DFL传感器且具有在面对介质的表面(MFS)处的表面。在所述DFL传感器后方且远离所述MFS的是后硬偏置(RHB)结构。所述RHB结构也安置于所述屏蔽件之间。在所述DFL传感器与所述RHB结构之间的是绝缘材料。RHB安置于绝缘材料上。RHB包含RHB晶种层以及RHB主体层。RHB晶种层具有26埃与35埃之间的厚度。RHB晶种层确保读头具有可均匀地施加的强RHB磁场。

在一个实施例中，一种磁读头包括：第一屏蔽件；第二屏蔽件，其与第一屏蔽件间隔开；传感器，其安置于第一屏蔽件与第二屏蔽件之间；以及后硬偏置(RHB)结构，其安置于第一屏蔽件与第二屏蔽件之间且在传感器后方，其中RHB结构包括：RHB晶种层，其中RHB晶种层具有大于或等于26埃且小于或等于35埃的厚度；以及RHB主体层。

在另一实施例中，一种磁读头包括：双自由层(DFL)传感器；读硬偏置(RHB)结构，其中RHB结构包括具有大于或等于26埃且小于或等于35埃的厚度的RHB晶种层；以及绝缘材料，其安置于DFL传感器与RHB晶种层之间。

在另一实施例中，一种磁读头包括：第一屏蔽件；中间屏蔽件；第二屏蔽件；第一传感器，其安置于第一屏蔽件与中间屏蔽件之间；第二传感器，其安置于中间屏蔽件与第二屏蔽件之间；第一后硬偏置(RHB)结构，其安置于第一屏蔽件与中间屏蔽件之间；以及第二RHB结构，其安置于中间屏蔽件与第二屏蔽件之间，其中第一RHB结构和第二RHB结构中的至少一个包含具有大于或等于26埃且小于或等于35埃的厚度的第一晶种层。

附图说明

为了可以详细地理解本公开的上述特征，上文简短概述的本公开可以参考实施例加以更具体地描述，其中一些实施例在附图中图解说明。然而，应注意，附图只是说明本公开的典型实施例且因此不应视为限制本公开的范围，因为本公开可以承认其它同等有效的实施例存在。