[发明专利]一种铜片氧化方法

权利要求书

1.一种铜片氧化方法，其特征在于，在氧化炉内进行，将铜片与陶瓷层键合的一面形成特定厚度的氧化层，另一面形成稍浅氧化层，

其中，所述氧化炉内设置有入口、加温区、冷却区以及出口，所述加温区包括十个温区，各区温度设置如下：一区545～555℃、二区645～655℃、三区675～685℃、四区715～725℃、五区715～725℃、六区715～725℃、七区745～755℃、八区745～755℃、九区715～725℃、十区705～715℃；

所述氧化炉顶部和底部的进气口处均分别设置有独立的氧气进气管和氮气进气管，所述氧气的流量为35～40mL/min，

氮气的流量设定如下：入口25～35L/min；加温区中一至三区顶部0L/min、四至六区顶部75～85L/min、八至十区顶部75～85L/min、一至十区底部0L/min；冷却区25～35L/min；出口25～35L/min。

2.根据权利要求1所述的铜片氧化方法，其特征在于：

其中，所述加温区的各区温度设置如下：一区550℃、二区650℃、三区680℃、四区720℃、五区720℃、六区720℃、七区750℃、八区750℃、九区720℃、十区710℃。

3.根据权利要求1所述的铜片氧化方法，其特征在于：

其中，氧气的通入量通过质量流量计进行监测，炉内氧分压的波动为±30ppm。

4.根据权利要求1所述的铜片氧化方法，其特征在于：

其中，铜片与陶瓷层键合的一面朝向氧化炉顶部，带速为254mm/min。

5.根据权利要求1所述的铜片氧化方法，其特征在于：

其中，加温区的四至六区为氧化主发生区。

6.根据权利要求1所述的铜片氧化方法，其特征在于：

其中，所述冷却区分为三个区，每各区的冷却段、炉膛顶部及底部排布管道，所述管道内通入冷水，冷水温度为10℃。

7.根据权利要求1所述的铜片氧化方法，其特征在于：

其中，根据氧化条件的不同，铜片氧化的增重为10±2mg，氧化层的厚度为0.8±0.2μm。

8.一种能够与Al₂O₃陶瓷键合的铜片，其特征在于，采用权利要求1～7任一项所述的氧化方法进行氧化，与陶瓷相键合的一面形成特定厚度的氧化层，另一面不形成氧化层。