[发明专利]发光装置以及制造发光装置的方法

权利要求书

1.一种用于发射UVC辐射的发光装置，所述发光装置包括：

基底；

图案化层，所述图案化层包括在所述基底上的多个掩模区，所述基底的暴露部分设置在所述掩模区之间；

多个纳米结构，所述多个纳米结构设置在所述基底的所述暴露部分上和所述掩模区之上，所述多个纳米结构是单晶半导体并且包括核芯尖端；

有源层，所述有源层设置在所述多个纳米结构之上，所述有源层为量子阱结构并且包括选自AlN、AlGaN和GaN中的至少一种材料；以及

p掺杂层，所述p掺杂层设置在所述有源层之上，所述有源层和所述p掺杂层两者与所述多个纳米结构共形，以便在所述核芯尖端之上形成发射器尖端。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述多个纳米结构包括选自AlN、GaN和AlGaN的至少一种材料，所述多个纳米结构的所述材料不同于所述有源层的所述材料。

3.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述纳米结构具有选自棱柱、纳米线和台面的三维形状。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述纳米结构是波纹状的脊。

5.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述纳米结构是六边形台面。

6.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光装置包括一个或多个发光二极管，所述一个或多个发光二极管被构造成发射具有范围从约200nm至约350nm的波长的辐射。

7.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述p掺杂层包括选自AlN、AlGaN和六边形氮化硼的至少一种半导体材料，所述p掺杂层的所述材料不同于所述有源层的所述材料。

8.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述p掺杂层具有分级的掺杂剂浓度。

9.一种制作UVC发光装置的方法，所述方法包括：

形成包括在基底上的多个掩模区的图案化层，其中，所述基底的暴露部分设置在所述掩模区之间；

在所述基底的所述暴露部分上和所述掩模区之上外延生长多个纳米结构，所述多个纳米结构包括核芯尖端；

在所述多个纳米结构之上外延生长有源层，所述有源层为量子阱结构并且包括选自AlN、AlGaN和GaN中的至少一种材料；以及

在所述有源层之上沉积p掺杂层，所述有源层和所述p掺杂层两者与所述多个纳米结构共形，以便在所述核芯尖端之上形成发射器尖端。

10.一种对表面进行消毒的方法，所述方法包括：

使所述表面与从发光装置发射的UVC辐射接触，所述发光装置包括：

基底；

图案化层，所述图案化层包括在所述基底上的多个掩模区，所述基底的暴露部分设置在所述掩模区之间；

多个纳米结构，所述多个纳米结构设置在所述基底的所述暴露部分上和所述掩模区之上，所述多个纳米结构是单晶半导体并且包括核芯尖端；

有源层，所述有源层设置在所述多个纳米结构之上，所述有源层为量子阱结构并且包括选自AlN、AlGaN和GaN中的至少一种材料；以及

p掺杂层，所述p掺杂层设置在所述有源层之上，所述有源层和所述p掺杂层两者与所述多个纳米结构共形，以便在所述核芯尖端之上形成发射器尖端。