[发明专利]半导体装置与其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置的形成方法，包括：

形成一半导体鳍状物于一基板上；

形成一多通道鳍状物于该基板上，且该多通道鳍状物包括一牺牲材料；

自该多通道鳍状物移除该牺牲材料，而不自该半导体鳍状物移除材料；

在移除该牺牲材料之后，自该多通道鳍状物形成多个纳米结构的一堆叠；以及

形成一栅极于多个所述纳米结构的该堆叠与该半导体鳍状物上。

2.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，还包括：

形成一第一厚度的一第一介电层以围绕多个所述纳米结构的该堆叠的一第一纳米结构；以及

形成一第二厚度的该第一介电层以围绕多个所述纳米结构的该堆叠的一第二纳米结构，且该第二纳米结构为多个所述纳米结构的该堆叠的一最顶部的纳米结构，而该第二厚度大于该第一厚度。

3.如权利要求2所述的半导体装置的形成方法，其中形成该第一介电层的步骤包括对多个所述纳米结构的该堆叠进行一界面处理。

4.如权利要求2所述的半导体装置的形成方法，其中该第一介电层为一原生氧化物。

5.如权利要求4所述的半导体装置的形成方法，还包括形成一第三厚度的一第二介电层以围绕该第一介电层，且该第一介电层围绕该最顶部的纳米结构，而该第二介电层与该原生氧化物不同。

6.一种半导体装置的形成方法，包括：

形成一第一鳍状物于一基板上；

形成一第二鳍状物于该基板上，且该第二鳍状物包括多个半导体材料的一多层堆叠以及一牺牲层于该多层堆叠上；

移除该牺牲层；

在移除该牺牲层之后，自该多层堆叠形成多个纳米结构；以及

形成一栅极于该第一鳍状物与多个所述纳米结构上，而该栅极的上表面与该第一鳍状物隔有第一距离，并与多个所述纳米结构的一最顶部纳米结构隔有一第二距离，且该第二距离大于该第一距离。

7.如权利要求6所述的半导体装置的形成方法，还包括形成一第一介电层于多个所述纳米结构上，该第一介电层在多个所述纳米结构的一第一纳米结构的一第一界面具有一第一厚度，并在多个所述纳米结构的该最顶部纳米结构的一第二界面具有一第二厚度，且该第二厚度大于该第一厚度。

8.如权利要求7所述的半导体装置的形成方法，其中形成该第一介电层的步骤还包括采用一第一选择性处理。

9.一种半导体装置，包括：

一半导体鳍状物，位于一基板上；

一多通道装置，位于该基板上；

一第一栅极介电层，包含一第一界面以围绕该多通道装置的一最顶部纳米结构，以及一第二界面以围绕该多通道装置的另一纳米结构，且该第一栅极介电层在该第一界面的一第一厚度大于该第一栅极介电层在该第二界面的一第二厚度；以及

一栅极，位于该第一界面与该第二界面处的该第一栅极介电层上并围绕该第一界面与该第二界面处的该第一栅极介电层，且该栅极在该半导体鳍状物上的一第一高度小于该栅极在该最顶部纳米结构上的一第二高度。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其中该第一栅极介电层包括一第一原生氧化物层于该第一界面。