[发明专利]掩膜版和硅片对准装置在审

专利信息
申请号: 202110286316.1 申请日: 2021-03-17
公开(公告)号: CN113066747A 公开(公告)日: 2021-07-02
发明(设计)人: 宋宇;孙海旋;曾维俊;卢瑶;钱俊;闫雪松;于福鑫;吕丹辉 申请(专利权)人: 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所;济南国科医工科技发展有限公司
主分类号: H01L21/68 分类号: H01L21/68;G03F9/00
代理公司: 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 11369 代理人: 张川
地址: 215163 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 掩膜版 硅片 对准 装置
【说明书】:

发明公开了一种掩膜版和硅片对准装置,包括:硅片夹紧部件,其包括下底板以及下夹紧组件;掩膜版夹紧部件,其可平移设置在所述硅片夹紧部件上,所述掩膜版夹紧部件包括上底板以及上夹紧组件;以及调整部件,其用于使所述掩膜版夹紧部件在所述硅片夹紧部件上的平移,以将所述掩膜版夹紧部件上的掩膜版与所述硅片夹紧部件上的硅片对准。本发明通过简单的机构即可实现掩膜版与硅片的对准与压紧要求,可显著降低成本和结构复杂性;本发明通过调整部件可实现对掩膜版角度调节和两个方向的微调,能达到精准的对准需求;本发明的掩膜版夹紧部件可在对准过程中保持掩膜版与硅片存在一定间隙,压紧时又可保证掩膜版和硅片接触的紧密性。

技术领域

本发明涉及微纳加工领域,特别涉及一种掩膜版和硅片对准装置。

背景技术

随着半导体行业的不断发展,如今对半导体的研究不仅局限在拥有雄厚资金实力和技术装备储备的大型企业,越来越多的中小企业也投入到半导体行业的研发中,而半导体研发中的关键一步是对硅片的加工。在硅片的加工领域,通过掩膜版对硅片进行加工是一种常用的方法。该加工方法的首要步骤是实现掩膜版和硅片的图形的对准,将硅片上图形的位置、方向和变形,与掩模版上的图形建立起正确关系。

目前掩膜版的对准过程是通过吸盘真空吸附的方式进行的,在吸盘对掩膜版和硅片进行吸附后,借助三维精密位移台和显微镜的观察来实现两者的对准与压紧,该方法可以实现高效且准确的对准。但是真空吸附式的掩膜版对准方式需要专业的设备,存在设备成本高,占地空间大的问题,很难适用于中小型企业或科研院所实验室的研发场合。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足,提供一种掩膜版和硅片对准装置。

为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种掩膜版和硅片对准装置,包括:

硅片夹紧部件,其包括下底板以及设置在所述下底板上的用于夹紧硅片的下夹紧组件;

掩膜版夹紧部件,其可平移设置在所述硅片夹紧部件上,所述掩膜版夹紧部件包括上底板以及设置在所述上底板上的用于夹紧掩膜版的上夹紧组件;

以及调整部件,其用于使所述掩膜版夹紧部件在所述硅片夹紧部件上的平移,以将所述掩膜版夹紧部件上的掩膜版与所述硅片夹紧部件上的硅片对准;

所述调整部件包括可转动设置在所述下底板上的L型定位板、间隔设置在所述L型定位板的第一定位板上的至少两个第一调节螺丝以及间隔设置在所述L型定位板的第二定位板上的至少两个第二调节螺丝,所述第一定位板和第二定位板垂直连接,所述第一定位板和第二定位板的连接处与所述下底板可转动连接,所述第一调节螺丝和第二调节螺丝与所述上底板的相互垂直的两个面分别顶压以实现所述上底板在所述下底板上的平面位置的调整。

优选的是,还包括可拆卸连接在所述调整部件上的两片具有不同厚度的塞尺。

优选的是,其中一片塞尺的厚度大于所述硅片和掩膜版的厚度之和,另一片塞尺的厚度小于所述硅片和掩膜版的厚度之和。

优选的是,所述第一定位板和第二定位板的连接处设置有与所述下底板连接的转轴销,所述转轴销上套设有轴承。

优选的是,所述上底板上还间隔设置有若干球头柱塞,所述球头柱塞底部的球头顶压在所述下底板的上表面上。

优选的是,所述下夹紧组件包括设置在所述下底板的一端且对称分布于所述硅片两侧的两个第一下夹紧块以及设置在所述下底板上且处于所述两个第一下夹紧块的对侧的一个第二下夹紧块。

优选的是,所述第一下夹紧块具有与所述硅片的外圆相切的第一下夹紧平面,两个所述第一下夹紧平面呈V型对称分布于所述硅片两侧。

优选的是,所述第二下夹紧块通过第二下夹紧平面与所述硅片的切边接触,所述两个第一下夹紧面的对称轴与所述第二下夹紧平面的中垂线重合。

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