[发明专利]一种图像传感器及照相机在审
| 申请号： | 202110286763.7 | 申请日： | 2021-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN113053937A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 方欣欣;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 联合微电子中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京北汇律师事务所 11711 | 代理人： | 马亚坤 |
| 地址： | 401332 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 图像传感器 照相机 | ||
1.一种图像传感器，其特征在于，包括多个光电二极管单元；所述光电二极管单元包括：光电二极管和预设层；其中所述预设层的禁带宽度小于预定阈值；
所述预设层设置于所述光电二极管上方；
所述光电二极管单元两侧设置有背面深沟道隔离层；所述背面深沟道隔离层上方设置有金属层；通过所述背面深沟道隔离层连接的所述多个光电二极管单元的上方设置有介质层；所述介质层上方设置有微透镜。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述预设层为曲面结构。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述预设层包括锗硅层。
4.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，还包括：黑硅层；其中所述黑硅层位于所述光电二极管和所述预设层之间。
5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述黑硅层为与所述预设层匹配的曲面体结构。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述背面深沟道隔离层的高度小于等于所述光电二极管的高度。
7.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述背面深沟道隔离层由吸收光电子防止光串扰的材料形成。
8.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，在所述微透镜和/或所述预设层之上设有增透膜，用于增加入射光在微透镜和/或预设层中的透射。
9.根据权利要求1-8中任一所述的图像传感器，其特征在于，所述介质层的折射率在空气折射率与所述预设层材料折射率之间。
10.一种照相机，其特征在于，包括权利要求1-9中任一所述图像传感器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
