[发明专利]显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202110287005.7 | 申请日: | 2021-03-17 |
公开(公告)号: | CN113113452A | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 张明 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 徐世俊 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括基板和阵列设置在所述基板上的像素单元,所述像素单元包括第一发光子单元和第二发光子单元;
所述第一发光子单元包括第一发光电极,所述第二发光子单元包括第二发光电极;
所述第一发光电极上设置有电极平坦层,所述第二发光电极设置在所述电极平坦层上。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素单元还包括:
薄膜晶体管膜层组,设置在所述基板上,所述薄膜晶体管膜层组包括有源层、栅极绝缘层、第一金属层、层间绝缘层和第二金属层;
晶体管平坦层,设置在所述第二金属层上;
在所述第一发光子单元中,所述晶体管平坦层对应所述第二金属层开设有第一电极连接通道,所述第一发光电极设置在所述晶体管平坦层上,所述第一发光电极通过所述第一电极连接通道与所述第二金属层电连接。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素单元还包括:
薄膜晶体管膜层组,设置在所述基板上,所述薄膜晶体管膜层组包括有源层、栅极绝缘层、第一金属层、层间绝缘层和第二金属层,在所述第二发光子单元中,所述电极平坦层对应所述第二金属层开设有第二电极连接通道,所述第二发光电极通过所述第二电极连接通道与所述第二金属层电连接;
所述电极平坦层包括第一子平坦层和第二子平坦层;所述第一子平坦层设置在所述第一发光电极上,所述第二子平坦层设置在所述第一子平坦层上;所述第一子平坦层上开设有与所述第二金属层对应的第一过孔,所述第二子平坦层上开设有与所述第一过孔对应的第二过孔;所述第二电极连接通道包括所述第一过孔和所述第二过孔。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第二金属层包括源极和漏极,所述晶体管平坦层包括第三子平坦层和第四子平坦层;
所述第三子平坦层设置在所述第二金属层上,所述第三子平坦层上开设有与所述源极或所述漏极相对应的第三过孔;所述第四子平坦层设置在所述第三子平坦层上,所述第四子平坦层上开设有与所述第三过孔相对应的第四过孔;
所述第一电极连接通道包括所述第三过孔和所述第四过孔,所述第一发光电极通过所述第三过孔和所述第四过孔与所述源极或所述漏极电连接;所述第二电极连接通道还包括所述第三过孔和所述第四过孔,所述第二发光电极通过所述第一过孔、所述第二过孔、所述第三过孔和所述第四过孔与所述源极或所述漏极电连接。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在所述显示面板的厚度方向上,所述第一发光电极与所述第二发光电极之间的距离在1μm至3μm之间。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,包括显示区和非显示区,所述显示区包括第一显示区和第二显示区,所述第一显示区的下方设置有摄像头,所述第一显示区上设置有所述像素单元。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第二显示区上设置有所述像素单元,所述像素单元在所述第一显示区和所述第二显示区上均匀分布。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二发光电极上设置有第三平坦层,所述像素单元还包括第三发光子单元,所述第三发光子单元包括第三发光电极,所述第三发光电极设置在所述第三平坦层上;
所述第一发光子单元发出的光随视角增大的亮度衰减速度大于所述第二发光子单元发出的光随视角增大的亮度衰减速度,所述第二发光子单元发出的光随视角增大的亮度衰减速度大于所述第三发光子单元发出的光随视角增大的亮度衰减速度。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一发光子单元发出的光为蓝光,所述第二发光子单元发出的光为红光或绿光。
10.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
B1、提供一基板,在所述基板上设置缓冲层和薄膜晶体管膜层组,所述薄膜晶体管膜层组包括有源层、栅极绝缘层、第一金属层、层间绝缘层和第二金属层;
所述显示面板包括阵列设置在所述基板上的像素单元,所述像素单元包括第一发光子单元和第二发光子单元;
B2、在所述第二金属层上设置第三子平坦层,所述第二金属层包括源极或漏极,对所述第三子平坦层进行图案化工艺形成与所述漏极相对应的第三过孔;在所述第三子平坦层上设置第三辅助电极,所述第三辅助电极通过所述第三过孔与所述漏极连接;
B3、在所述第三辅助电极的上方设置第四子平坦层,对所述第四子平坦层进行图案化制程以形成与所述第三过孔相对应的第四过孔,在所述第四子平坦层上设置第一发光电极和第二辅助电极,所述晶体管平坦层包括所述第三子平坦层和所述第四子平坦层;在所述第一发光子单元中,所述第一发光电极通过第一电极连接通道与所述漏极电连接,所述第一发光电极通道包括所述第三过孔和所述第四过孔;
B4、在所述第一发光电极和所述第二辅助电极上设置第一子平坦层,对所述第一子平坦层进行图案化制程以形成第一过孔和第一通孔,所述第一过孔与所述第二辅助电极相对应,所述第一过孔沿厚度方向贯穿所述第一子平坦层延伸至所述第二辅助电极的表面;所述第一通孔与所述第一发光电极相对应,所述第一通孔沿厚度方向贯穿所述第一子平坦层延伸至所述第一发光电极的表面并裸露出所述第一发光电极;
在所述第二发光子单元中的所述第一子平坦层上设置第一辅助电极,所述第一辅助电极通过所述第一过孔与所述第二辅助电极连接;
B5、在所述第二发光子单元中的所述第一辅助电极上设置第二子平坦层,对所述第二子平坦层进行图案化制程以形成与第二过孔,在对所述第二子平坦层进行图案化制程的过程中沿朝向所述第二子平坦层的方向延展所述第一通孔,所述第二过孔与所述第一过孔相对应,所述第二过孔沿厚度方向贯穿所述第二子平坦层延伸至所述第一辅助电极的表面;
所述电极平坦层包括所述第一子平坦层和所述第二子平坦层;在所述第二子平坦层上设置所述第二发光电极,所述第二发光电极通过第二电极连接通道与所述第二发光子单元中的所述漏极电连接,所述第二电极连接通道包括第一过孔、第二过孔、第三过孔以及第四过孔;
B6、在所述第二发光电极上设置像素定义层,对所述像素定义层进行图案化制程以形成第二通孔,在对所述像素定义层进行图案化制程的过程中沿朝向所述像素定义层的方向延展所述第一通孔,所述第一通孔贯穿所述像素定义层以及所述电极平坦层延伸至所述第一发光电极的表面;所述第二通孔与所述第二发光电极相对应,所述第二通孔贯穿所述像素定义层以裸露出所述第二发光电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110287005.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种IGBT模组压装设备
- 下一篇:一种水利工程用雨水沉沙池装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的