[发明专利]显示面板的制作方法和显示面板在审
申请号: | 202110287217.5 | 申请日: | 2021-03-17 |
公开(公告)号: | CN113053983A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 金玉;陆蕴雷;王恩来;马明冬;张鹏辉;黄佳兵 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制作方法 | ||
1.一种显示面板的制作方法,所述显示面板具有透光区、围绕所述透光区的显示区,其特征在于,包括:
提供基板;
在所述基板上形成半导体层和多层无机层;其中所述无机层分布于所述显示区和所述透光区;所述半导体层分布于所述显示区,且所述半导体层设置于所述无机层之间;
在所述显示区对应的过孔位置形成预设厚度的光阻层;
同时刻蚀所述过孔位置和所述透光区,以在所述过孔位置形成过孔图案,在所述透光区形成盲孔图案。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述过孔位置包括不同刻蚀深度的过孔,其中,所述预设厚度由所述半导体层对应的过孔位置和所述透光区的膜层差异参数决定。
3.根据权利要求2所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述膜层差异参数包括所述半导体层对应的过孔位置所对应的所述无机层的厚度、所述透光区对应的所述无机层的厚度以及刻蚀速率。
4.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,在所述显示区对应的过孔位置形成预设厚度的光阻层,包括:
在所述无机层远离所述基板一侧涂覆所述光阻层;
刻蚀所述光阻层,以使所述过孔位置对应的所述光阻层的厚度为预设厚度,且所述透光区对应的所述光阻层被完全刻蚀。
5.根据权利要求4所述的显示面板的制作方法,其特征在于,采用半色调掩膜版刻蚀所述光阻层,所述半色调掩膜版包括全透光区、不透光区和半透光区;所述半透光区对应所述过孔位置,所述全透光区对应所述透光区。
6.根据权利要求5所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述半色调掩膜版的所述半透光区的材料为铬金属氧化物,所述不透光区的材料为铬金属。
7.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,同时刻蚀所述过孔位置和所述透光区,以在所述过孔位置形成过孔图案,在所述透光区形成盲孔图案,包括:
在第一刻蚀阶段,刻蚀所述过孔位置对应的所述光阻层,以及刻蚀所述透光区对应的所述无机层;
在第二刻蚀阶段,刻蚀所述过孔位置对应的所述无机层,和所述透光区对应的剩余所述无机层。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述第二刻蚀阶段的刻蚀气体的刻蚀选择比高于所述第一刻蚀阶段的刻蚀气体的刻蚀选择比。
9.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述多层无机层包括依次叠层设置的缓冲层、栅绝缘层、电容绝缘层和层间电介质层;
所述缓冲层包括厚度范围为400~600埃的氮化硅层和厚度范围为2000~2600埃的氧化硅层;
所述栅绝缘层为氧化硅层,所述栅绝缘层的厚度范围为1200~1500埃;
所述电容绝缘层包括厚度范围为400~600埃的氧化硅层和厚度范围为800~1000埃的氮化硅层;
所述层间介质层包括厚度范围为2000~2300埃的氮化硅层和厚度范围为2500~2800埃的氧化硅层;
所述过孔位置对应的所述光阻层的预设厚度的范围为0.1~0.18微米。
10.一种显示面板,其特征在于,采用如权利要求1-9任一项所述的显示面板的制作方法进行制备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的