[发明专利]一种单晶二硒化钨单分子层薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种单晶二硒化钨单分子层薄膜的制备方法，其特征在于如下步骤：

1）在生长基片表面悬涂种子材料置于石英舟内，然后再在具有种子材料的生长基片表面覆盖钨箔片；

2）在生长基片附近放置氯化钠粉末；

3）通入含有硒的气体，调整反应器内压强；

4）高温反应后，在生长基片表面获得单晶二硒化钨单分子层薄膜。

2.如权利要求1所述的单晶二硒化钨单分子层薄膜的制备方法，其特征在于生长基片可以是石英基片、玻璃基片、蓝宝石单晶基片、硅基片、云母基片中的一种。

3.如权利要求1所述的单晶二硒化钨单分子层薄膜的制备方法，其特征在于所指的种子材料可以是酞菁分子、卟啉分子、PEDOT、PTAS、PMMA中的一种。

4.如权利要求1所述的单晶二硒化钨单分子层薄膜的制备方法，其特征在于所采用的钨箔片纯度在99.98%以上，厚度是0.05~3毫米。

5.如权利要求1所述的单晶二硒化钨单分子层薄膜的制备方法，其特征在于钨箔与生长基片的间距为3~8毫米。

6.如权利要求1所述的单晶二硒化钨单分子层薄膜的制备方法，其特征在于氯化钠粉末是放置在气体的上游一端且距离生长基片的间距是1~4厘米，氯化钠粉末的质量是0.01~10克。

7.如权利要求1所述的单晶二硒化钨单分子层薄膜的制备方法，其特征在于所指的含有硒的气体是通过对硒粉进行加热至升华，混合于氢氩混合气体。

8.如权利要求8所述混合于氩气是指氢氩混合气体中氢气的浓度为10%~50%，氢氩混合气体的流量为20~200sccm。

9.如权利要求1所述的单晶二硒化钨单分子层薄膜的制备方法，其特征在于反应器内压强是100~100000帕斯卡。

10.如权利要求1所述的单晶二硒化钨单分子层薄膜的制备方法，其特征在于所指的高温反应是指在800~1000摄氏度，高温反应时间是5~60分钟。