[发明专利]一种单晶二硒化铂薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种单晶二硒化铂薄膜的制备方法，其特征在于如下步骤：

1)将PtCl₄，PtCl₂，PtO₂，PtI₄中的一种作为铂原料，或者两种任意比例混合作为铂原料分散在原料基片表面；

2)将经过预处理的生长基片倒扣于铂原料基片上方，调整原料基片与生长基片间的距离在0.5～10毫米之间；

3)高温蒸发硒粉与铂原料，并在氢气或氢氩混合气体保护气氛下反应，在生长基片表面得到单晶二硒化铂薄膜。

2.如权利要求1所述的单晶二硒化铂薄膜的制备方法，其特征在于所用原料基片可以为硅片、蓝宝石片、氧化硅片、云母片中的一种。

3.如权利要求1所述的单晶二硒化铂薄膜的制备方法，其特征在于所用生长基片可以为硅片、蓝宝石片、氧化硅片、云母片中的一种。

4.如权利要求1所述的单晶二硒化铂薄膜的制备方法，其特征在于对生长基片的预处理可以任选如下方案中的一种：第一种方案：将生长基片放置在浓硫酸：双氧水＝7：3的食人鱼溶液中，加热至150摄氏度后保温30分钟；第二种方案：使用紫外清洗机，臭氧制备时间为10分钟，清洗时间为30分钟；第三种方案：将生长基片放置在石英舟内，在1个大气压下，使用H₂在500摄氏度下对其退火2个小时。

5.如权利要求1所述的单晶二硒化铂薄膜的制备方法，其特征在于硒粉所在位置为铂原料所在位置的气体上游方向的4～20cm处。

6.如权利要求1所述的单晶二硒化铂薄膜的制备方法，其特征在于硒粉温度为200～500摄氏度，铂原料温度为300-900摄氏度。

7.如权利要求1所述的单晶二硒化铂薄膜的制备方法，其特征在于生长过程中压强为1～100000Pa。