[发明专利]可重构的三维集成芯片结构

权利要求书

1.一种可重构的三维集成芯片结构，其特征在于，所述结构包括：壳体、硅转接板、封装基板和层间选择芯片；所述封装基板、所述硅转接板和所述层间选择芯片均设置在所述壳体内部，所述封装基板和所述硅转接板的表面均设置有再分布层，所述封装基板和所述硅转接板内部均垂直设置有多个硅通孔，所述硅转接板通过凸点与所述封装基板电连接，且所述封装基板和所述层间选择芯片之间就有间隙，所述层间选择芯片设置在所述间隙内部，且所述层间选择芯片与所述封装基板电连接，所述层间选择芯片用于控制所述封装基板中的硅通孔的电信号的通断，所述封装基板的再分布层与所述封装基板内部的硅通孔电连接，所述硅转接板的再分布层与所述封装基板内部的硅通孔电连接，所述封装基板和所述硅转接板的再分布层均用于与外电路连接，所述壳体外部设置有多个管脚，多个所述管脚通过凸点与所述封装基板连接。

2.根据权利要求1所述的可重构的三维集成芯片结构，其特征在于，所述结构还包括多个基板，多个基板之间分别电连接，每个所述基板内部均设置有硅通孔，所述层间选择芯片用于控制所述基板的电信号的通断。

3.根据权利要求1所述的可重构的三维集成芯片结构，其特征在于，所述硅转接板与所述封装基板之间的凸点的高度大于所述层间选择芯片的厚度。

4.根据权利要求1所述的可重构的三维集成芯片结构，其特征在于，所述硅通孔的深宽比大于10。

5.根据权利要求1所述的可重构的三维集成芯片结构，其特征在于，所述壳体外部还设置有金属框架，所述管脚穿过所述金属框架。

6.根据权利要求1所述的可重构的三维集成芯片结构，其特征在于，所述壳体靠近所述硅转接板的一侧设置有封装盖板。

7.根据权利要求1所述的可重构的三维集成芯片结构，其特征在于，所述封装基板上的所述再分布层上设置有电阻和电容。

8.根据权利要求1所述的可重构的三维集成芯片结构，其特征在于，所述硅转接板上的所述再分布层上设置有CPU、FPGA、电阻和电容。