[发明专利]红外发光二极管外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种红外发光二极管外延片，其特征在于，所述红外发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的n型AlGaAs电流扩展层、n型AlGaAs限制层、第一应力调整层、多量子阱层、p型AlGaAs限制层及p型AlGaAs电流扩展层，所述多量子阱层包括多个周期交替生长的InGaAs阱层和GaAs垒层，

所述第一应力调整层包括第一AlGaAsP层或包括第一AlGaAsP/GaInP超晶格，

所述红外发光二极管外延片还包括第二应力调整层，所述第二应力调整层位于所述多量子阱层中，所述第二应力调整层包括第二AlGaAsP层或第二AlGaAsP/GaInP超晶格，在由所述多量子阱层指向所述p型AlGaAs限制层的方向上，所述第二应力调整层夹设在所述多量子阱层中最后一个周期的GaAs垒层与倒数第二个周期的InGaAs阱层之间。

2.根据权利要求1所述的红外发光二极管外延片，其特征在于，所述第一AlGaAsP层的厚度为10nm~20nm。

3.根据权利要求1所述的红外发光二极管外延片，其特征在于，所述第一AlGaAsP/GaInP超晶格中的AlGaAsP子层的厚度为5nm~10nm，所述第一AlGaAsP/GaInP超晶格中的GaInP子层的厚度为5nm~10nm。

4.根据权利要求1~3任一项所述的红外发光二极管外延片，其特征在于，所述第一AlGaAsP/GaInP超晶格中的GaInP子层的P组分为100%，所述第一AlGaAsP/GaInP超晶格中的AlGaAsP子层中P组分为10%~15%。

5.根据权利要求1~3任一项所述的红外发光二极管外延片，其特征在于，所述第一AlGaAsP层中P组分为10%~15%。

6.根据权利要求1所述的红外发光二极管外延片，其特征在于，所述第一应力调整层的层次排列与所述第二应力调整层的层次排列相同，且所述第二应力调整层的厚度小于所述第一应力调整层的厚度。

7.根据权利要求1所述的红外发光二极管外延片，其特征在于，所述第二应力调整层的厚度与所述第一应力调整层的厚度之比为0.5~0.7。

8.一种红外发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述红外发光二极管外延片制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长n型AlGaAs电流扩展层；

在所述n型AlGaAs电流扩展层上生长n型AlGaAs限制层；

在所述n型AlGaAs限制层上生长第一应力调整层，所述第一应力调整层包括第一AlGaAsP层或包括第一AlGaAsP/GaInP超晶格；

在所述第一应力调整层上生长多量子阱层与第二应力调整层，所述多量子阱层包括多个周期交替生长的InGaAs阱层和GaAs垒层，所述第二应力调整层位于所述多量子阱层中，所述第二应力调整层包括第二AlGaAsP层或第二AlGaAsP/GaInP超晶格；

在所述多量子阱层上生长p型AlGaAs限制层，且在由所述多量子阱层指向所述p型AlGaAs限制层的方向上，所述第二应力调整层夹设在所述多量子阱层中最后一个周期的GaAs垒层与倒数第二个周期的InGaAs阱层之间；

在所述p型AlGaAs限制层上生长p型AlGaAs电流扩展层。