[发明专利]一种用于晶硅片快速碱抛光的抛光剂及其应用方法在审
| 申请号： | 202110289018.8 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113136144A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张红利;王池;罗江;李雪芬;李扬;李锋清;袁振琴;凡宝安;张帅;周浩;熊健;曹锐;虢世恩;李强;毕超群;喻超;王丰;程力 | 申请（专利权）人： | 武汉风帆电化科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/18 | 分类号： | C09G1/18;H01L21/304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 武汉红观专利代理事务所(普通合伙) 42247 | 代理人： | 李杰梅 |
| 地址： | 430000 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 硅片 快速 抛光 及其 应用 方法 | ||
1.一种用于晶硅片快速碱抛光的抛光剂，其特征在于：包括基础液、辅助液和有机硅材料；
所述基础液为碱液，所述基础液用于碱性刻蚀晶硅片；
所述辅助液按质量百分比包括，1.0-2.0％硫酸钠、1.0-2.0％两性表面活性剂和5.0-10％有机溶剂，余量为水；
所述有机硅材料包括硅烷偶联剂和硅油，所述有机硅材料作为消泡剂及界面保护剂。
2.根据权利要求1所述的一种用于晶硅片快速碱抛光的抛光剂，其特征在于：所述两性表面活性剂包括高级脂肪伯胺、氯乙酸、甜菜碱和丙烯酸甲酯中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的一种用于晶硅片快速碱抛光的抛光剂，其特征在于：所述有机溶剂为二甲醚。
4.根据权利要求1所述的一种用于晶硅片快速碱抛光的抛光剂，其特征在于：所述有机硅材料包括氨基硅烷和有机硅乳液，且氨基硅烷和有机硅乳液比例为1:(1-4)。
5.根据权利要求1所述的一种用于晶硅片快速碱抛光的抛光剂，其特征在于：所述辅助剂按质量百分比在抛光剂内的含量为0.5-6％。
6.根据权利要求1所述的一种用于晶硅片快速碱抛光的抛光剂，其特征在于：所述有机硅材料按质量百分比在抛光剂内的含量为1-10％。
7.根据权利要求1所述的一种用于晶硅片快速碱抛光的抛光剂，其特征在于：所述基础液按质量百分比含有2-4％氢氧化钾或2-3％氢氧化钠。
8.一种用于晶硅片快速碱抛光的抛光剂的应用方法，其特征在于：包括以下步骤，
S1清洗晶硅片，按照配方组分配置基础液和辅助液，并称量有机硅材料；
S2将基础液、辅助液和有机硅材料按比例混合均匀后，再将晶硅片置于混合液中进行碱性刻蚀反应，同时持续搅拌溶液使反应充分；
S3将刻蚀完成的晶硅片取出并用去离子水反复冲洗以去除表面残留的有机硅材料和残留溶液，吹干，烘干即可。
9.根据权利要求8所述的一种用于晶硅片快速碱抛光的抛光剂的应用方法，其特征在于：在所述步骤S2中，控制反应温度为60-72℃，反应时间80-300s。
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