[发明专利]用于存储器装置的交错刷新计数器

说明书

本申请针对用于存储器装置的交错刷新计数器。存储器装置可以包含一组存储器管芯，其每个存储器管芯与公共命令和地址CA总线耦合，并且每个存储器管芯包含各自的刷新计数器。响应于通过CA总线接收的刷新命令，每个存储器管芯可以基于由存储器管芯的各自的刷新计数器输出的值来刷新一组存储器单元。存储器装置的至少两个存储器管芯的刷新计数器可以偏移，使得当通过CA总线接收刷新命令时，它们指示不同值，因此至少两个存储器管芯可以刷新它们各自阵列的不同部分的存储器单元。刷新计数器之间的偏移可以基于与不同存储器管芯相关联的不同熔丝设置。

交叉引用

本专利申请要求2020年3月27日提交的名称为“用于存储器装置的交错刷新计数器(STAGGERED REFRESH COUNTERS FOR A MEMORY DEVICE)”的第16/833,045号美国专利申请的权益，其被转让给本发明的受让人，并且其全部内容通过引用被明确并入本文。

技术领域

本技术领域涉及用于存储器装置的交错刷新计数器。

背景技术

以下总体上涉及一或多个存储器系统，更具体地，涉及用于存储器装置的交错刷新计数器。

存储器装置被广泛用于在诸如计算机、无线通信装置、照相机、数字显示器等各种电子装置中存储信息。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。例如，二进制存储器单元可以被编程为两种支持状态中的一个，通常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中，单个存储器单元可以支持两种状态以上，其中任意一种状态都可以被存储。为了存取存储的信息，部件可以读取或感测存储器装置中的至少一个存储状态。为了存储信息，部件可以在存储器装置中写入或编程状态。

存在各种类型的存储器装置和存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、闪存、相变存储器(PCM)、自选择存储器、硫属化物存储技术等。存储器单元可以是易失性的或非易失性的。非易失性存储器(例如，FeRAM)即使在没有外部电源的情况下，还可以长时间维持它们的存储的逻辑值。当从外部电源断开时，易失性存储器装置(例如，DRAM)可能会失去它们的存储状态。

发明内容

存储器装置可以调整一组刷新计数器的一或多个刷新计数器的各自的字线索引，其中刷新计数器组的每个刷新计数器对应于一组存储器管芯的各自的存储器管芯，并且其中刷新计数器组的至少两个刷新计数器的各自的字线索引基于调整而偏移。存储器装置可以接收存储器管芯组的刷新命令。存储器装置可以基于刷新命令和各自的字线索引，为存储器管芯组的每个存储器管芯激活一或多条字线的各自的组。存储器装置可以基于激活一或多条字线的各自的组，为存储器管芯组的每个存储器管芯刷新存储器单元的各自的组。

附加地或可替代地，设备可以包含一组存储器管芯和包含存储器管芯组的每个存储器管芯的各自的刷新计数器的一组刷新计数器。各自的刷新计数器可以每个配置为指示各自的刷新索引，其中存储器管芯组的至少两个存储器管芯的各自的刷新计数器配置为指示不同刷新索引。设备可以包含与存储器管芯组的每个存储器管芯耦合的信道，其中存储器管芯组可以配置为经由信道每个接收相同的刷新命令，并且其中至少两个存储器管芯可以配置为响应于相同的刷新命令，基于不同刷新索引来刷新对应于不同地址的存储器单元。