[发明专利]硅片的处理系统及处理方法、太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种硅片的处理系统，其特征在于，所述处理系统包括：

刻蚀装置，所述刻蚀装置用于利用刻蚀液对硅片的第一面进行单面刻蚀处理；

清洗液供应装置，用于在利用刻蚀液对硅片的第一面进行单面刻蚀处理时，向硅片的第二面提供清洗液，所述清洗液用于清洗所述硅片的第二面；

以及硅片承载机构，用于承载硅片，所述刻蚀装置和所述清洗液供应装置分别位于所述硅片承载机构的两侧。

2.根据权利要求1所述的硅片的处理系统，其特征在于，所述清洗液供应装置的清洗液出口位于所述刻蚀装置的上方；和/或，所述清洗液供应装置选自喷淋装置、喷墨打印装置、涂覆装置。

3.根据权利要求1所述的硅片的处理系统，其特征在于，所述刻蚀装置选自链式单面刻蚀装置、滚轮式单面刻蚀装置。

4.根据权利要求3所述的硅片的处理系统，其特征在于，当所述刻蚀装置为滚轮式单面刻蚀装置时，所述刻蚀装置包括容纳刻蚀液的刻蚀槽以及位于刻蚀槽内的螺旋深槽滚轮，所述螺旋深槽滚轮的槽深为0.8mm～1.3mm，所述螺旋深槽滚轮的槽间距为1.2mm～1.8mm；所述螺旋深槽滚轮的部分部位突出所述刻蚀槽外。

5.根据权利要求1～4任一项所述的硅片的处理系统，其特征在于，所述刻蚀装置上设置有用于加热刻蚀液的加热组件。

6.根据权利要求1～4任一项所述的硅片的处理系统，其特征在于，还包括用于对硅片的第一面进行预刻蚀的预刻蚀装置和硅片传输线，所述处理系统的硅片承载机构位于硅片传输线上，所述预刻蚀装置位于刻蚀装置的前道。

7.一种硅片的处理方法，其特征在于，应用具有刻蚀装置和清洗液供应装置的处理系统，所述硅片的处理方法包括：

利用刻蚀液对硅片的第一面进行单面刻蚀处理；

当利用刻蚀液对硅片的第一面进行单面刻蚀处理时，向所述硅片的第二面提供清洗液，使得所述清洗液清洗所述硅片的第二面。

8.根据权利要求7所述的硅片的处理方法，其特征在于，所述单面刻蚀处理为单面制绒处理或单面绒面抛光处理。

9.根据权利要求7所述的硅片的处理方法，其特征在于，所述刻蚀液为第一碱液，所述第一碱液的溶质包括KOH、NaOH中的一种或两种，所述第一碱液的质量浓度为3％～6％，所述第一碱液的温度为45℃～75℃，或，

所述刻蚀液为第一酸液，所述第一酸液的溶质为HF、HNO₃、H₂SO₄中的一种或多种，所述第一酸液的质量浓度为8％～58％。

10.根据权利要求7～9任一项所述的硅片的处理方法，其特征在于，所述清洗液为第二碱液，所述第二碱液的溶质包括KOH、NaOH中的一种或两种，所述第二碱液的质量浓度为3％～5％，所述第二碱液的温度为18℃～24℃；或，

所述清洗液为第二酸液，所述第二酸液的溶质包括HF和O3，第二酸液中HF的质量浓度为10％～18％，第二酸液中O₃的质量浓度为12ppm-20ppm。

11.根据权利要求7～9任一项所述的硅片的处理方法，其特征在于，所述刻蚀液和所述清洗液均为酸性溶液，或所述刻蚀液和所述清洗液均为碱性溶液；和/或，

当所述刻蚀液和所述清洗液的溶质相同时，所述清洗液清洗硅片的第二面后，补充到所述刻蚀液中。

12.根据权利要求7～9任一项所述的硅片的处理方法，其特征在于，当所述刻蚀液为第一碱液时，在利用所述刻蚀液对所述硅片的第一面进行单面刻蚀处理之前，所述硅片的处理方法还包括：利用第三酸液对所述硅片的第一面进行预刻蚀，其中，所述第三酸液包括氢氟酸、硝酸、硫酸的一种或多种，所述第三酸液的浓度为8％～58％。