[发明专利]晶体硅太阳能电池钝化层及其制备方法、电池有效
申请号: | 202110291184.1 | 申请日: | 2021-03-18 |
公开(公告)号: | CN113161448B | 公开(公告)日: | 2023-09-15 |
发明(设计)人: | 杨浩成;洪剑波;田得雨;王永谦;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/068 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫;李素兰 |
地址: | 322009 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体 太阳能电池 钝化 及其 制备 方法 电池 | ||
1.一种晶体硅太阳能电池钝化层的制备方法,其特征在于,包括:
(1)提供硅片,并对所述硅片进行预处理;
(2)将预处理后的硅片浸入水中,并在水中通入臭氧,处理预设时间,以形成SiO2层;
(3)将所述SiO2层浸入HF溶液中,以对所述SiO2层进行氢化处理;所述HF溶液的电导率为60~70mS/cm;
(4)将氢化处理后的硅片在热水中处理,即得到晶体硅太阳能电池钝化层成品,所述热水的温度≥90℃。
2.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池钝化层的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,将预处理后的硅片浸入40~100℃的水中,并在水中通入臭氧后处理100~300s,以形成SiO2层。
3.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池钝化层的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述SiO2层的厚度为2~5nm;
步骤(3)中,所述HF溶液对所述SiO2层的刻蚀量≤2nm。
4.一种晶体硅太阳能电池钝化层,其特征在于,其由权利要求1~3任一项所述的晶体硅太阳能电池钝化层的制备方法制备而得。
5.一种晶体硅太阳能电池,其特征在于,其包括如权利要求4所述的晶体硅太阳能电池钝化层。
6.如权利要求5所述的晶体硅太阳能电池,其特征在于,所述晶体硅太阳能电池为PERC电池。
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