[发明专利]一种陶瓷基板薄膜电路结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110291387.0 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113079626A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 徐婷;马文力 | 申请（专利权）人： | 扬州国宇电子有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/03 | 分类号： | H05K1/03;H05K3/12 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 罗超 |
| 地址： | 225000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 陶瓷 薄膜 电路 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种陶瓷基板薄膜电路结构，其特征在于，包括：
陶瓷基板；
正面金属电极，设置于所述陶瓷基板正面，所述正面金属电极为多层金属，所述多层金属从外至内依次包括键合层、阻挡层、粘附层，所述键合层、阻挡层、粘附层的正投影面重合；
钝化层，设置于所述陶瓷基板正面，所述钝化层覆盖所述陶瓷基板正面所有所述正面金属电极未覆盖的区域；
背面金属电极，设置于所述陶瓷基板背面。
2.根据权利要求1所述的陶瓷基板薄膜电路结构，其特征在于：所述背面金属电极为所述多层金属，所述背面金属电极覆盖所述陶瓷基板背面全部区域。
3.根据权利要求1所述的陶瓷基板薄膜电路结构，其特征在于：所述键合层材质为Au。
4.根据权利要求3所述的陶瓷基板薄膜电路结构，其特征在于：所述阻挡层材质为Pt。
5.根据权利要求4所述的陶瓷基板薄膜电路结构，其特征在于：所述钝化层材质为SiO2或SiN。
6.一种如权利要求1-5任一所述的陶瓷基板薄膜电路结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、准备所述陶瓷基板；
S2、制备所述钝化层；
S3、所述背面金属电极制备：在所述陶瓷基板背面蒸发制备多层金属；
S4、所述正面金属电极制备：在所述陶瓷基板正面均匀涂覆光刻胶层，叠层掩膜并暴露于光，显影，带胶蒸发制备多层金属，使用剥离液同时剥离光刻胶及多余金属。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述步骤S1具体为：清洗所述陶瓷基板，包括有机清洗和酸液清洗。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述步骤S2具体为：在所述陶瓷基板正面生长、淀积钝化层，叠层光刻胶层，叠层掩膜并暴露于光，显影，蚀刻，去除剩余光刻胶。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述步骤S3、S4中，蒸发制备多层金属时均一次制备。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州国宇电子有限公司，未经扬州国宇电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110291387.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
