[发明专利]用于对存储器系统进行编程的方法、装置及存储器系统

说明书

本说明书的实施例提供存储器系统的编程方法、装置及存储器系统。在该编程方法中，使用存储器系统的页面缓冲器中的中间寄存器来存储编程状态信息。在对存储器系统编程时，针对每轮编程，根据各个存储单元所对应的中间寄存器中存储的编程抑制信息，确定当前待编程验证存储单元，并且使用自当前编程过程的起始验证电平起到最大验证电平中的各个验证电平，对所确定出的当前待编程验证存储单元执行编程验证。此外，在当前编程验证结束后，根据各个当前待编程验证存储单元的编程验证结果，更新对应的中间寄存器中存储的编程状态信息。利用该编程方法，可以在无需设置专用寄存器来存储编程状态信息的情况下，实现针对存储器系统的无损编程。

本专利申请是2020年8月13日提交的、申请号为202010810560.9、发明名称为“用于对存储器系统进行编程的方法、装置及存储器系统”的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本说明书实施例通常涉及存储器领域，尤其涉及用于对存储器系统进行编程的方法、装置及存储器系统。

背景技术

NAND闪存存储器是一种已经广泛应用于包括笔记本、移动电话和硬盘驱动器的非易失性存储介质。在对NAND闪存存储器进行编程时，为了减少系统成本，在主机将数据发送到NAND闪存存储器后，主机将不再保存编程数据。在这种情况下，在发生编程错误时会丢失原始编程数据。

为了防止在发生编程错误时丢失原始编程数据，在NAND闪存存储器的页面缓冲器中设置数据寄存器。在数据编程期间，数据寄存器缓存编程数据。此外，在页面缓冲器中还设置一个专用寄存器，该专用寄存器用于存储存储单元的编程状态信息(inhibit信息)，所述inhibit信息用于指示针对存储单元的编程是否成功。在inhibit信息指示编程失败时，从数据寄存器读取编程数据。然而，这种NAND闪存存储器需要在页面缓冲器中设置专用寄存器，从而增加了NAND闪存存储器的成本和空间尺寸。

发明内容

鉴于上述，本说明书实施例提供用于对存储器系统进行编程的方法、装置及存储器系统。在该编程方法中，使用存储器系统的页面缓冲器中的中间寄存器来存储编程抑制信息。在针对存储单元阵列的待编程页面的循环编程期间，针对每轮编程，根据待编程页面的各个存储单元所对应的中间寄存器中存储的编程抑制信息，确定当前待编程验证存储单元，并且使用自当前编程过程的起始验证电平起到最大验证电平中的各个验证电平，对所确定出的当前待编程验证存储单元中执行编程验证，其中，当前编程过程的起始验证电平是根据上一编程过程中针对该上一编程过程的起始验证电平的编程验证的验证失败统计结果确定。此外，在该编程方法中，在当前编程验证结束后，根据各个当前待编程验证存储单元的编程验证结果，更新对应的中间寄存器中存储的编程抑制信息。利用该编程方法，可以在无需设置专用寄存器来存储编程状态信息的情况下，实现针对存储器系统的无损编程。

根据本说明书实施例的一个方面，提供一种用于对存储器系统进行编程的方法，所述存储器系统包括页面缓冲器，所述页面缓冲器包括中间寄存器，所述中间寄存器用于在编程期间缓存中间处理结果，并且在每轮编程结束后存储编程抑制信息，所述编程抑制信息指示针对存储单元的程序编程是否成功，所述方法包括：循环执行下述编程过程，直到当前编程过程的起始验证电平大于最大验证电平：根据存储单元阵列的待编程存储器页面中的各个存储单元所对应的中间寄存器中存储的编程抑制信息确定当前待编程存储单元；使用当前编程电压来对所确定出的当前待编程存储单元进行当前编程；根据所述待编程页面的各个存储单元所对应的中间寄存器中存储的编程抑制信息，确定当前待编程验证存储单元；使用自所述当前编程过程的起始验证电平起到最大验证电平中的各个验证电平，对所确定出的当前待编程验证存储单元执行编程验证；统计针对所述起始验证电平的编程验证的验证失败统计结果；根据所述验证失败统计结果，确定下一编程过程的起始验证电平；以及根据各个当前待编程验证存储单元的编程验证结果，更新对应的中间寄存器中存储的编程抑制信息。