[发明专利]高压启动供电电路、供电方法和原边反馈控制电源电路有效

专利信息
申请号: 202110291875.1 申请日: 2021-03-18
公开(公告)号: CN112994438B 公开(公告)日: 2022-09-20
发明(设计)人: 林官秋;曾国梁 申请(专利权)人: 深圳市必易微电子股份有限公司
主分类号: H02M1/36 分类号: H02M1/36
代理公司: 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 代理人: 向庆宁
地址: 518000 广东省深圳市南山区西丽街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 高压 启动 供电 电路 方法 反馈 控制 电源
【权利要求书】:

1.一种高压启动供电电路,电性耦接于开关电源控制器的供电输入端和供电输出端之间,其特征在于,包括控制电路和启动电路;

所述控制电路包括电源输入端和电源输出端;所述供电输入端与所述启动电路耦接,所述供电输出端与所述电源输出端电性连接;供电电流从所述电源输入端流至所述供电输出端而进行供电;

所述启动电路与所述控制电路耦接,供电电流从所述启动电路通过所述电源输入端流向所述控制电路,所述控制电路控制所述启动电路的导通状态;

所述控制电路还包括第一电流源和第一开关,所述第一开关电性接入所述第一电流源与所述启动电路之间;闭合的所述第一开关使所述启动电路给所述供电输入端提供用于启动所述供电输出端的供电功能的保护压降;

所述控制电路还包括第二开关和主控制管,所述主控制管耦接在所述电源输入端和所述供电输出端之间,所述主控制管的导通状态用于控制所述供电电流的流通状态;

所述第二开关电性接入所述主控制管栅极与第二电流源之间;所述主控制管源极电性连接所述电源输入端,漏极电性连接所述供电输出端;所述第二开关根据所述供电输出端电压来控制自身的开关状态,从而控制所述主控制管的导通状态。

2.根据权利要求1所述的高压启动供电电路,其特征在于,所述主控制管为PMOS晶体管。

3.根据权利要求2所述的高压启动供电电路,其特征在于,所述控制电路包括第二控制信号端,还包括与所述主控制管耦接的供电限流电路;

所述供电限流电路包括由第二MOS管和第三MOS管耦接构成的镜像电路;

所述镜像电路的共源极电性连接所述主控制管漏极,共栅极电性连接所述第三MOS管漏极;所述第三MOS管漏极电性连接所述供电输出端;所述第二MOS管漏极与所述第二控制信号端耦接;

所述第二MOS管将流经所述第三MOS管的所述供电电流镜像为镜像电流,并通过所述第二MOS管漏极反馈至所述第二控制信号端,以控制所述第二控制信号端的电位高低,所述第二控制信号端的电位高低决定所述电源输入端输入的所述供电电流的大小。

4.根据权利要求3所述的高压启动供电电路,其特征在于,所述第二MOS管漏极与所述第二控制信号端之间电性接入第四MOS管,通过所述第四MOS管的导通状态来改变所述第二控制信号端的电位。

5.根据权利要求4所述的高压启动供电电路,其特征在于,所述第二MOS管漏极与接地之间电性接入并联的第一电阻和第二电阻,所述第二电阻与接地之间电性接入第三开关,所述第三开关的开关状态根据所述供电输出端电压来控制;

所述第四MOS管源极接地,漏极反馈接入所述第二控制信号端;所述第四MOS管栅极与所述第二MOS管漏极耦接。

6.根据权利要求5所述的高压启动供电电路,其特征在于,所述启动电路包括保护电阻和启动MOS管;所述启动MOS管为NMOS晶体管;所述保护电阻电性接入所述启动MOS的栅极和漏极之间;

所述启动MOS管源极电性连接所述电源输入端,所述启动MOS管漏极和所述保护电阻的公共连接端用于接入供电电源,所述启动MOS管栅极和所述保护电阻的公共连接端电性接入所述第二控制信号端;

所述第二控制信号端电位用于控制所述启动MOS的导通状态。

7.根据权利要求6所述的高压启动供电电路,其特征在于,所述第一开关的开关状态根据所述供电输出端电压来控制;闭合的所述第一开关使所述第一电流源给所述保护电阻提供保护电流,所述保护电阻形成用于防回弹的保护压降。

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