[发明专利]电容器及其形成方法

权利要求书

1.一种电容器，其特征在于，包括：第一电极、第二电极以及夹设在所述第一电极和所述第二电极之间的电容介质层；

其中，所述电容介质层包括依次堆叠设置的第一介质层、第二介质层和第三介质层，并且所述第二介质层在所述第一介质层和所述第三介质层之间非连续延伸而具有多个开口，所述第二介质层的所述开口中还设有所述第一介质层和/或所述第三介质层。

2.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一介质层和所述第三介质层的介电常数均高于所述第二介质层的介电常数。

3.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一介质层和所述第三介质层的材料相同且均为高K介质材料。

4.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一介质层和所述第三介质层具有相同的结晶态晶体结构。

5.如权利要求4所述的电容器，其特征在于，所述第二介质层为非晶态结构。

6.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第二介质层的厚度小于等于6个原子层厚度。

7.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第二介质层中由所述开口界定出多个分段，并且各个分段为不规律排布。

8.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第二介质层中由所述开口界定出多个分段，多个分段的形状包括至少不规则的两种任意形状。

9.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一电极和/或所述第二电极具有结晶态晶体结构，并且在晶体结构中相邻晶粒之间的晶界中填充有导电颗粒。

10.如权利要求9所述的电容器，其特征在于，所述导电颗粒为铂颗粒。

11.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一电极层和/或所述第二电极为结晶态氮化钛层，并且所述结晶态氮化钛层其相邻晶粒之间的晶界中填充有氮化钛颗粒，所述氮化钛颗粒的颗粒尺寸小于所述氮化钛层中的晶粒尺寸。

12.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述电容器具有直立设置的直立型电容器，所述直立型电容器中的第一电极、电容介质层和第二电极在水平向上依次排布，以及所述直立型电容器中的第一电极、电容介质层和第二电极均在高度方向上延伸。

13.一种电容器的形成方法，其特征在于，包括依次形成第一电极、电容介质层和第二电极；

其中，所述电容介质层的形成方法包括：

形成第一介质层；

形成第二介质层，所述第二介质层在所述第一介质层上非连续延伸而具有开口；以及，

形成第三介质层，所述第三介质层覆盖所述第二介质层，并且所述第三介质层还填充所述开口并与所述第一介质层外延连接。

14.如权利要求13所述的电容器的形成方法，其特征在于，在形成所述第三介质层时，所述第三介质层通过所述开口外延生长而具有与所述第一介质层相同的结晶态晶体结构。

15.如权利要求13所述的电容器的形成方法，其特征在于，所述第二介质层的形成方法包括：执行原子层沉积工艺，形成小于等于6个原子层厚度的第二介质层，以使所述第二介质层呈非连续结构。