[发明专利]一种高压JFET器件及其制造方法

权利要求书

1.一种高压JFET器件，其特征在于：包括p型衬底(10)、p型衬底(10)上方的n型漂移区阱(21)，n型漂移区阱(21)内部设有p型阱区(31)、中部重掺杂层降场层交替结构、右侧重掺杂层降场层交替结构；所述中部重掺杂层降场层交替结构、右侧重掺杂层降场层交替结构分别位于p型阱区(31)的上方和右侧；

所述中部重掺杂层降场层交替结构中，重掺杂层和降场层上下交替设置，且重掺杂层和降场层依次为交替设置的第一导电类型和第二导电类型；

所述右侧重掺杂层降场层交替结构中，重掺杂层和降场层上下交替设置，且重掺杂层和降场层依次为交替设置的第一导电类型和第二导电类型；

第一导电类型为n型时，第二导电类型为p型；第一导电类型为p型时，第二导电类型为n型；

所述中部重掺杂层降场层交替结构的上方为p⁺阱接触区(71)，p⁺阱接触区(71)与上方的第二金属电极(902)接触；

所述右侧重掺杂层降场层交替结构右侧的n型漂移区阱(21)内部表面设有第二n+区(82)，第二n+区(82)与上方的第三金属电极(903)接触；

所述中部重掺杂层降场层交替结构左侧的n型漂移区阱(21)内部表面设有第一n+区(81)，第一n+区(81)与上方的第一金属电极(901)接触，所述中部重掺杂层降场层交替结构和第二n+区(82)之间的n型漂移区阱(21)上表面设有场氧化层(51)，场氧化层(51)位于右侧重掺杂层降场层交替结构上方，多晶硅场板(62)处于所述场氧化层(51)上并与第三金属电极(903)相连；第一n+区(81)与中部重掺杂层降场层交替结构之间的n型漂移区阱(21)上表面设有场氧化层(51)，右侧重掺杂层降场层交替结构上方场氧化层(51)左侧的n型漂移区阱(21)上表面设有栅氧化层(41)，栅氧化层(41)的右端与右侧重掺杂层降场层交替结构上方场氧化层(51)的左边界相连，栅氧化层(41)的左端覆盖部分中部重掺杂层降场层交替结构上表面，多晶硅栅(61)左端覆盖部分栅氧化层(41)、右端覆盖部分场氧化层(51)；金属前介质(11)覆盖场氧化层(51)、多晶硅栅(61)、多晶硅场板(62)，第一金属电极(901)、第二金属电极(902)、多晶硅场板(62)、第三金属电极(903)通过金属前介质(11)相互隔离。

2.如权利要求1所述的一种高压JFET器件，其特征在于：中部重掺杂层降场层交替结构和右侧重掺杂层降场层交替结构都包括第二n型重掺杂层(202)、第二n型重掺杂层(202)上方的第一p型降场层(301)、第一p型降场层(301)上方的第一n型重掺杂层(201)。

3.如权利要求1所述的一种高压JFET器件，其特征在于：中部重掺杂层降场层交替结构和右侧重掺杂层降场层交替结构都包括第二p型降场层(302)、第二p型降场层(302)上方的第一n型重掺杂层(201)、第一n型重掺杂层(201)上方的第一p型降场层(301)。

4.如权利要求1所述的一种高压JFET器件，其特征在于：中部重掺杂层降场层交替结构和右侧重掺杂层降场层交替结构都包括第二p型降场层(302)、第二p型降场层(302)上方的第二n型重掺杂层(202)、第二n型重掺杂层(202)上方的第一p型降场层(301)、第一p型降场层(301)上方的第一n型重掺杂层(201)。

5.如权利要求1所述的一种高压JFET器件，其特征在于：中部重掺杂层降场层交替结构和右侧重掺杂层降场层交替结构都包括第二n型重掺杂层(202)、第二n型重掺杂层(202)上方的第二p型降场层(302)、第二p型降场层(302)上方的第一n型重掺杂层(201)、第一n型重掺杂层(201)上方的第一p型降场层(301)。

6.如权利要求1所述的一种高压JFET器件，其特征在于：中部重掺杂层降场层交替结构和右侧重掺杂层降场层交替结构都包括第三n型重掺杂层(203)、第三n型重掺杂层(203)上方的第二p型降场层(302)、第二p型降场层(302)上方的第二n型重掺杂层(202)、第二n型重掺杂层(202)上方的第一p型降场层(301)、第一p型降场层(301)上方的第一n型重掺杂层(201)。