[发明专利]一种超宽带透明电磁防护材料结构及其制备方法

权利要求书

1.一种超宽带透明电磁防护材料结构，其特征在于，包括基底（1）、ITO膜（2）、第一增透层（3）、超薄Ag膜和第二增透层（6），所述第一增透层（3）为Si₃N₄或Al₂O₃，所述第二增透层（6）为TiO₂或ZnSe，

所述超薄Ag膜包括Ag氧化层（4）和Ag膜层（5），所述Ag氧化层（4）与所述第一增透层（3）连接，所述Ag膜层（5）的一侧与所述Ag氧化层（4）连接，所述Ag膜层（5）的另一侧与所述第二增透层（6）连接，

超宽带透明电磁防护材料结构采用如下方法制备：

步骤1：基底（1）预处理；

步骤2：沉积ITO膜（2），在沉积ITO膜（2）后进行退火处理，所述ITO膜（2）中SnO2与In2O3的质量比为2:8-3:7；

步骤3：沉积第一增透层（3）；

步骤4：沉积Ag氧化层（4）和Ag膜层（5），Ag氧化层（4）中氧的掺杂浓度为2-5%；

步骤5：退火处理超薄Ag膜；

步骤6：沉积第二增透层（6）；

所述超宽带透明电磁防护材料结构在380-680nm的光谱范围内的透光率为91.5-93%，表面方阻为3.2-3.5Ω/sq，采用矢量网络分析仪测试样品的电磁屏蔽性能，用SE值表征，SE为50.8-52dB。

2.根据权利要求1所述的一种超宽带透明电磁防护材料结构，其特征在于，所述超薄Ag膜的厚度为10-15nm。

3.一种如权利要求1-2任一项所述的超宽带透明电磁防护材料结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：基底（1）预处理；

步骤2：沉积ITO膜（2）；

步骤3：沉积第一增透层（3）；

步骤4：沉积Ag氧化层（4）和Ag膜层（5）；

步骤5：退火处理超薄Ag膜；

步骤6：沉积第二增透层（6）。

4.根据权利要求3所述的一种超宽带透明电磁防护材料结构的制备方法，其特征在于，所述步骤1的基底（1）预处理具体步骤包括：将基底（1）置于丙酮溶液中超声处理，再采用水洗涤后干燥。

5.根据权利要求3或4所述的一种超宽带透明电磁防护材料结构的制备方法，其特征在于，所述步骤2-4中，沉积均采用的是磁控溅射法。

6.根据权利要求3或4所述的一种超宽带透明电磁防护材料结构的制备方法，其特征在于，所述第一增透层（3）的沉积厚度为39-60nm，所述第二增透层（6）的沉积厚度为19-27nm。

7.根据权利要求3或4所述的一种超宽带透明电磁防护材料结构的制备方法，其特征在于，所述步骤2中在沉积ITO膜（2）后进行退火处理，所述ITO的沉积厚度为100-150nm。