[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法、显示面板和显示装置在审
申请号: | 202110292841.4 | 申请日: | 2021-03-18 |
公开(公告)号: | CN113066937A | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 唐鹏宇;穆欣炬;马中生;李流民;刘高鹏;刘航 | 申请(专利权)人: | 义乌清越光电技术研究院有限公司;义乌清越光电科技有限公司;苏州清越光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 薛异荣 |
地址: | 322000 浙江省金华市北苑*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子 发光二极管 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种量子点发光二极管,其特征在于,包括:
量子点发光层,所述量子点发光层的材料包括:载流子传输主体材料和量子点客体发光材料的混合物;所述载流子传输主体材料的最高占据分子轨道的能级比所述量子点客体发光材料的价带顶的能级高0.1eV~1eV;所述量子点发光层中载流子传输主体材料和量子点客体发光材料的质量比为1:1~9:1。
2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,还包括:位于所述量子点发光层一侧表面的空穴注入层。
3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,还包括:位于所述量子点发光层一侧的空穴注入层;位于所述空穴注入层与所述量子点发光层之间的空穴传输层。
4.根据权利要求2或3所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述载流子传输主体材料的最高占据分子轨道的能级比所述空穴注入层的最高占据分子轨道的的能级低0.1eV~1eV。
5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述载流子传输主体材料包括热活化延迟荧光材料。
6.一种量子点发光二极管的制备方法,用于形成权利要求1至5任一所述的量子点发光二极管,其特征在于,包括如下步骤:
提供载流子传输主体材料和量子点客体发光材料,所述载流子传输主体材料的最高占据分子轨道的能级比所述量子点客体发光材料的价带顶的能级高0.1eV~1eV;
把所述载流子传输主体材料和量子点材料按质量比为1:1~9:1混合在一起形成量子点发光材料;
采用所述量子点发光材料形成量子点发光层。
7.根据权利要求6所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,采用所述量子点发光材料形成量子点发光层的步骤包括:将所述量子点发光材料均匀配置在溶剂中,形成初始量子点发光溶液;采用涂覆工艺涂覆所述初始量子点发光溶液以形成量子点发光层,或者,采用喷墨打印工艺喷射初始量子点发光溶液以形成量子点发光层。
8.根据权利要求6所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,形成所述量子点发光层之前,还包括:形成空穴注入层;形成所述量子点发光层之后,所述量子点发光层位于所述空穴注入层的一侧表面;
或者,形成所述量子点发光层之前,还包括:形成空穴注入层;在所述空穴注入层的一侧形成空穴传输层;形成所述量子点发光层之后,所述量子点发光层位于所述空穴传输层背向所述空穴注入层的一侧。
9.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1至5任意一项所述的量子点发光二极管。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求9所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择