[发明专利]阵列基板及显示面板

说明书

本发明提供了一种阵列基板及显示面板，阵列基板的薄膜晶体管组件包括相对设置的第一有源层和第二有源层；设置在第一有源层和第二有源层之间的第一栅极；与第一有源层和第二有源层电性连接的源极；以及与第一有源层和第二有源层电性连接的漏极；其中，第一有源层和第二有源层中至少一个为复合有源层，复合有源层包括由下至上层叠设置的第一子层和第二子层，第一子层为低温多晶硅层，第二子层为氢化非晶硅层，并且源极和漏极分别与第一子层电性连接，由此改善了薄膜晶体管组件的开态电流和关态电流，增强了阵列基板的驱动能力，从而提升了显示面板的显示效果。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术

随着显示技术的迅速发展，显示面板的尺寸在不断的增大，驱动电路的频率也在不断的增大，因此，对于薄膜晶体管的工作性能要求越来越高。

目前，大多数薄膜晶体管都采用非晶硅或多晶硅材料的有源层，这种采用传统方法和材料制备形成的传统结构只能得到优异的开态电流或优异的关态电流，两者无法兼得，使得晶体管的应用受到很大的限制。

因此，亟需解决目前的晶体管的开态电流和关态电流无法兼顾的技术问题。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：

衬底基板；

设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管组件，所述薄膜晶体管组件包括：

相对设置的第一有源层和第二有源层；

设置在所述第一有源层和所述第二有源层之间的第一栅极；

与所述第一有源层和所述第二有源层电性连接的源极；

以及与所述第一有源层和所述第二有源层电性连接的漏极；

其中，所述第一有源层和所述第二有源层中至少一个为复合有源层，所述复合有源层包括由下至上层叠设置的第一子层和第二子层，所述第一子层为低温多晶硅层，所述第二子层为氢化非晶硅层，并且所述源极和所述漏极分别与所述第一子层电性连接。

根据本发明实施例所提供的阵列基板，所述第一有源层为所述复合有源层，所述第二有源层为氧化物半导体层。

根据本发明实施例所提供的阵列基板，所述阵列基板包括第二栅极，所述第一栅极与所述第二栅极一起控制所述薄膜晶体管组件。

根据本发明实施例所提供的阵列基板，所述第一栅极位于所述第一有源层下方，所述第二栅极位于所述第一有源层上方。

根据本发明实施例所提供的阵列基板，所述第一栅极位于所述第一有源层下方，所述第二栅极位于所述第二有源层下方。

根据本发明实施例所提供的阵列基板，所述第二栅极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一有源层在所述衬底基板上的正投影。

根据本发明实施例所提供的阵列基板，所述第一有源层上背离所述衬底基板一侧设置有一刻蚀阻挡层。

根据本发明实施例所提供的阵列基板，所述源极和所述漏极由同一导电膜层经图案化制得。

根据本发明实施例所提供的阵列基板，所述源极包括与所述第一有源层电性连接的第一源极以及与所述第二有源层电性连接的第二源极，所述漏极包括与所述第一有源层电性连接的第一漏极以及与所述第二有源层电性连接的第二漏极；所述第二源极通过第一过孔与所述第一源极连接，所述第二漏极通过第二过孔与所述第一漏极连接。

另一方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括如前所述的阵列基板。