[发明专利]一种双极型场效应晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种双极型场效应晶体管制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上通过外延生长依次形成集电极层、基极层、发射极层、过渡层、肖特基层、缓冲层和接触层，其中，所述集电极层、基极层、发射极层、过渡层、肖特基层、缓冲层和接触层均位于所述衬底的第一区域和第二区域；

通过发射极接触光罩制作位于所述第一区域的发射极图形窗口、位于所述第二区域的源极图形窗口和漏极图形窗口，并在所述发射极图形窗口、所述源极图形窗口和所述漏极图形窗口蒸镀第一金属以分别形成发射极金属、源极金属和漏极金属；

通过凹槽蚀刻光罩制作位于所述第二区域的凹槽蚀刻图形窗口，并依次刻蚀与所述凹槽蚀刻图形窗口对应的所述接触层和所述缓冲层以在所述源极金属和所述漏极金属之间露出所述肖特基层；

通过发射极台阶层光罩制作位于所述第一区域的发射极台阶层图形窗口，并依次刻蚀与所述发射极台阶层图形窗口对应的所述接触层、所述缓冲层、所述肖特基层和所述过渡层以在所述发射极金属两侧露出所述发射极层；

通过化学气相沉积在所述第一区域和所述第二区域形成钝化层；

通过基极接触光罩制作位于所述第一区域的基极图形窗口、位于所述第二区域的栅极图形窗口，刻蚀与所述基极图形窗口和所述栅极图形窗口对应的所述钝化层并在所述基极图形窗口和所述栅极图形窗口蒸镀第二金属以分别形成基极金属和栅极金属。

2.如权利要求1所述的双极型场效应晶体管制备方法，其特征在于，所述发射极金属与所述第一区域的接触层形成欧姆接触，所述源极金属和漏极金属与所述第二区域的接触层形成欧姆接触。

3.如权利要求1所述的双极型场效应晶体管制备方法，其特征在于，所述在通过基极接触光罩制作位于所述第一区域的基极图形窗口、位于所述第二区域的栅极图形窗口，刻蚀与所述基极图形窗口和所述栅极图形窗口对应的所述钝化层并在所述基极图形窗口和所述栅极图形窗口蒸镀第二金属以分别形成基极金属和栅极金属之后，所述方法还包括：

通过回火使得所述栅极金属穿透所述肖特基层并与所述过渡层形成肖特基接触、所述基极金属穿透所述发射极层并与所述基极层形成欧姆接触。

4.如权利要求1所述的双极型场效应晶体管制备方法，其特征在于，所述第二金属包括依次形成的铂层、钛层、铂层、金层和钛层。

5.如权利要求1所述的双极型场效应晶体管制备方法，其特征在于，所述钝化层为氮化硅层。

6.如权利要求1所述的双极型场效应晶体管制备方法，其特征在于，所述肖特基层为磷化铟镓层。

7.如权利要求1所述的双极型场效应晶体管制备方法，其特征在于，刻蚀与所述基极图形窗口和所述栅极图形窗口对应的所述钝化层中的刻蚀为干法刻蚀。

8.一种双极型场效应晶体管，其特征在于，采用如权利要求1至7任一项所述的双极型场效应晶体管制备方法制备。