[发明专利]一种用于X射线管阳极靶的金属涂层及其制备方法

权利要求书

1.一种用于X射线管阳极靶的金属涂层制备方法，其特征在于包括以下步骤：

（1）预处理

对铜基底依次进行抛光和清洗，以去除铜基底表面氧化物和吸附物，并干燥备用；

（2）偏压反溅射清洗

将步骤（1）干燥后的铜基底置于磁控溅射设备的真空炉腔内，抽真空至不大于2×10^-4Pa，在氩气气氛下，采用偏压反溅射清洗以去除铜基底表面氧化物或/和吸附杂质；

（3）靶材预溅射

在氩气气氛下，对金属靶材进行预溅射，以去除靶材表面氧化物或/和吸附杂质；所述金属靶材为W、Cr、Mo或Ag靶材中的一种；

（4）沉积金属涂层

保持步骤（3）氩气气氛下，于溅射功率为200~300W、靶基距5~6 cm、沉积温度150~400℃的条件下对金属靶材进行溅射，至沉积于铜基底表面的金属涂层达到设定厚度，溅射过程中，控制单次沉积厚度为2~10μm后中断沉积10~20min，所述金属涂层厚度大于25μm；

（5）去应力和矫正变形后处理

铜基底表面经金属涂层沉积完成后，抽真空至不大于4×10^-4 Pa，之后于沉积温度条件下静置2~4h，继后随炉冷却至100℃以下，再关闭真空系统，并至少静置12h，即可完成对铜基底表面金属涂层的去应力和矫正变形处理，得到用于X射线管阳极靶的金属涂层。

2.根据权利要求1所述的用于X射线管阳极靶的金属涂层制备方法，其特征在于步骤（1）中，对铜基底表面进行机械抛光，抛光后先后分别采用丙酮、酒精清洗10~20 min。

3.根据权利要求1所述的用于X射线管阳极靶的金属涂层制备方法，其特征在于步骤（2）中，偏压反溅射清洗条件为：当真空炉腔内真空不大于2×10^-4Pa后，再通入Ar气体，使真空度达到2~4 Pa，然后在偏压为-500~-700 V、靶基距为5~6 cm条件下对铜基底进行偏压反溅射清洗，清洗时间为15~20min。

4.根据权利要求1所述的用于X射线管阳极靶的金属涂层制备方法，其特征在于步骤（3）中，预溅射条件为：调整氩气流量为50~80sccm，使预溅射气压达到0.5~1.0Pa，然后于预溅射气压0.5~1.0Pa、预溅射功率150~200W的条件下，金属靶材启辉后关闭挡板，对金属靶材进行预溅射清洗，清洗时间为5~10 min。

5.根据权利要求1所述的用于X射线管阳极靶的金属涂层制备方法，其特征在于步骤（4）中，控制单次沉积厚度一致。

6.根据权利要求1所述的用于X射线管阳极靶的金属涂层制备方法，其特征在于步骤（5）中，关闭真空系统后的静置时间为12h~24h。

7.权利要求1-6任一所述方法制备的用于X射线管阳极靶的金属涂层。

8.根据权利要求7所述的用于X射线管阳极靶的金属涂层，其特征在于所述金属涂层厚度为25~40μm。