[发明专利]一种抑制大容量电容上电浪涌电流的电路及方法有效
申请号: | 202110294488.3 | 申请日: | 2021-03-19 |
公开(公告)号: | CN112993957B | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 白雷;王斌;张莉;王海龙;张志伟;张斐;余俊宏;刘晓庆;黄君涛;冯刚 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 |
主分类号: | H02H9/02 | 分类号: | H02H9/02 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 贾年龙 |
地址: | 610036 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 抑制 容量 电容 浪涌 电流 电路 方法 | ||
1.一种抑制大容量电容上电浪涌电流的电路,其特征在于,包括供电电源、储能电容、缓变电阻电路及变电阻电路,供电电源为负载供电;变电阻电路与缓变电阻电路、储能电容连接后作为整体与负载并联连接,通过缓变电阻电路与变电阻电路中的定值功率电阻控制电容充电电流,抑制电容充电浪涌电流;
所述缓变电阻电路包括电阻R1、电阻R3、稳压管D1、稳压管D2、电容C1及MOS管Q1,所述电阻R1第一端连接至储能电容正极,第二端连接分别连接至电阻R3第一端、变电阻电路,电阻R3第二端分别连接至稳压管D1负极、电容C1的第一端、稳压管D2负极以及MOS管Q1栅极,稳压管D1正极与电容C1的第二端连接后接至变阻电路,稳压管D2正极与MOS管Q1源极连接后接至变阻电路,MOS管Q1漏极接至储能电容负极;
所述变电阻电路包括电阻R2、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电容C2、电容C3、稳压管D4、二极管D5、稳压管D6、MOS管Q2、稳压管D3及三极管Q3;所述电阻R2第一端分别与电阻R1第二端、电容C2第一端及电阻R4第一端连接,电阻R2第二端分别与电容C2第二端、稳压管D1正极、电容C1第二端、稳压管D4正极、电容C3第二端、MOS管Q2源极、三极管Q3发射极、电阻R6第二端、稳压管D6正极及供电电源连接,电阻R4第二端与稳压管D3负极相连;稳压管D3的正极与稳压管D4的负极、电容C3第一端、三极管Q3集电极、MOS管Q2栅极连接,三极管Q3基极连接电阻R5第一端,电阻R5第二端连接至二极管D5负极,二极管D5正极分别与MOS管Q2漏极、电阻R6第一端、稳压管D6负极及MOS管Q1漏极连接。
2.根据权利要求1所述的抑制大容量电容上电浪涌电流的电路,其特征在于,所述电阻R4与电容C3组成第一延时网络,电阻R3与电容C1组成第二延时网络,所述第一延时网络延时时间高于第二延时网络的延时时间。
3.一种基于权利要求2所述抑制大容量电容上电浪涌电流的电路的方法,其特征在于,包括:供电电源上电时,第二延时网络使得MOS管Q1缓慢通过线性区后打开MOS管Q1,从而使充电电流缓慢变大;电阻R6的电压随电流增加后使得三极管Q3打开,将MOS管Q2驱动电压箝位至零电压;当储能电容接近充满后充电电流减小,电阻R6上电压减小使得三极管Q3关闭,从而打开MOS管Q2短路电阻R6,完成电容充电启动过程。
4.根据权利要求3所述的抑制大容量电容上电浪涌电流的电路的方法,其特征在于,在上电时,MOS管Q2打开时间慢于MOS管Q1。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第二十九研究所,未经中国电子科技集团公司第二十九研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110294488.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。