[发明专利]一种像元级的放大器电路在审
| 申请号： | 202110294586.7 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN112953414A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 白涛 | 申请（专利权）人： | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 |
| 主分类号： | H03F3/04 | 分类号： | H03F3/04 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴;丁浩秋 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 像元级 放大器 电路 | ||
1.一种像元级的放大器电路，其特征在于，包括输入放大级、中间放大级和输出驱动级，所述输入放大级的晶体管漏极与电源VCC之间设置有源负载。
2.根据权利要求1所述的像元级的放大器电路，其特征在于，所述有源负载包括第五P型晶体管和第六P型晶体管，所述第五P型晶体管的源极与漏极连接后连接电源VCC，所述第六P型晶体管的源极连接电源VCC，所述第五P型晶体管的栅极与第六P型晶体管的栅极连接，所述第六P型晶体管的漏极连接所述输入放大级的晶体管漏极，所述第六P型晶体管的漏极还通过第三电阻连接第五P型晶体管的栅极。
3.根据权利要求1所述的像元级的放大器电路，其特征在于，所述输入放大级还包括第一N型晶体管和第二N型晶体管，所述有源负载连接第二N型晶体管的漏极，所述第二N型晶体管的源极通过第一电阻接地，所述第二N型晶体管的源极连接电流输入端，所述第二N型晶体管的栅极连接第一N型晶体管的漏极，所述第一N型晶体管的漏极还通过第二电阻连接电源VCC，所述第一N型晶体管的栅极连接第二N型晶体管的源极，所述第一N型晶体管的源极接地。
4.根据权利要求3所述的像元级的放大器电路，其特征在于，所述中间放大级包括第三P型晶体管和第五电阻，所述第三P型晶体管的栅极连接第二N型晶体管的漏极，所述第三P型晶体管的源极连接电源VCC，所述第三P型晶体管的漏极通过第五电阻接地。
5.根据权利要求4所述的像元级的放大器电路，其特征在于，所述输出驱动级包括第四N型晶体管和第六电阻，所述第四N型晶体管的漏极连接电源VCC，所述第四N型晶体管的栅极连接第三P型晶体管的漏极，所述第四N型晶体管的源极通过第六电阻接地，所述第四N型晶体管的源极还连接输出端。
6.根据权利要求5所述的像元级的放大器电路，其特征在于，所述第四N型晶体管的源极还通过第四电阻连接所述第三P型晶体管的栅极。
7.一种阵列激光雷达电路，其特征在于，包括电路阵列，所述电路阵列的每个像元包括上述权利要求1-6任一项所述像元级的放大器电路和时刻鉴别电路。
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