[发明专利]半导体元件的制作方法在审
| 申请号： | 202110294881.2 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113611604A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 孔祥波;邵红旭;孔德锦;邱云松;黃清俊;谈文毅 | 申请（专利权）人： | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/321;H01L21/3215;H01L21/02;H01L21/336;H01L27/11517 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 361100 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制作方法 | ||
1.一种半导体元件的制作方法，包含：
提供基底，在该基底上沉积材料层；
对该材料层进行平坦化步骤，移除部分该材料层；
在该平坦化步骤之后，对剩余的该材料层进行离子掺杂步骤；以及
进行清洗步骤，同时移除该平坦化步骤后所产生的杂质以及该离子掺杂步骤后所产生的杂质。
2.如权利要求1所述的制作方法，其中该材料层包含有多晶硅层。
3.如权利要求1所述的制作方法，其中该清洗步骤包含有标准清洗步骤(SPM)、RCA清洗步骤以及高压水枪(scrubber)清洗步骤及其组合。
4.如权利要求3所述的制作方法，其中还包含：在该清洗步骤的过程中，进行热退火步骤。
5.如权利要求4所述的制作方法，其中该热退火步骤是在该RCA清洗步骤之后，且在该高压水枪清洗步骤之前所执行。
6.如权利要求3所述的制作方法，其中该标准清洗步骤包含以硫酸、双氧水以及水的混和溶液进行清洗。
7.如权利要求3所述的制作方法，其中该标准清洗步骤包含以氨水、双氧水以及水的混和溶液，或是盐酸、双氧水以及水的混和溶液进行清洗。
8.如权利要求1所述的制作方法，其中在执行该平坦化步骤与执行该离子掺杂步骤之间，不包含执行其他步骤。
9.如权利要求1所述的制作方法，其中还包含有形成多个浅沟隔离，部分位于该基底内，且部分该浅沟隔离突出该基底的表面。
10.如权利要求1所述的制作方法，其中该平坦化步骤包含有化学机械研磨(CMP)步骤。
11.如权利要求10所述的制作方法，其中在该化学机械研磨(CMP)步骤之前，还包含执行另一高压水枪清洗步骤，以移除该基底上的多个颗粒杂质。
12.如权利要求1所述的制作方法，其中在该清洗步骤之后，还包含对该材料层进行回蚀刻步骤，移除部分的该材料层，且剩余的该材料层在该基底上形成至少一浮置栅极结构(floating gate)。
13.如权利要求1所述的制作方法，其中在该平坦化步骤执行后，该材料层的厚度低于1000埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
