[发明专利]静电放电保护装置和形成静电放电保护装置的方法

权利要求书

1.一种静电放电保护装置，包括：

基板，包括设置在其中的导电区域；

第一终端区域和第二终端区域，设置在所述导电区域内；以及

场分布结构，包括：

中间区域，设置在所述第一终端区域和所述第二终端区域之间的所述导电区域内；

隔离元件，设置在所述中间区域上方；

第一导电板和第二导电板，设置在所述隔离元件上方；其中，所述第一导电板电性连接所述第一终端区域，而所述第二导电板电性连接所述第二终端区域。

2.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其中，所述导电区域的一部分设置在所述中间区域和所述第一终端区域之间；且其中，所述导电区域的另一部分设置在所述中间区域和所述第二终端区域之间。

3.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其中，所述中间区域和所述第一终端区域之间设置有第一横向间隔；且其中，所述中间区域和所述第二终端区域之间设置有第二横向间隔。

4.根据权利要求3所述的静电放电保护装置，其中，所述第一横向间隔的长度和所述第二横向间隔的长度大致相等。

5.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其中，所述中间区域包括埋置层和设于所述埋置层上方的漂移区域。

6.根据权利要求5所述的静电放电保护装置，其中，所述漂移区域的第一侧和所述埋置层的第一侧为垂直对齐，而所述漂移区域的第二侧相对于所述漂移区域的所述第一侧，所述埋置层的第二侧相对于所述埋置层的所述第一侧，所述漂移区域的所述第二侧和所述埋置层的所述第二侧为垂直对齐。

7.根据权利要求5所述的静电放电保护装置，其中，所述基板、所述第一终端区域、所述第二终端区域、和所述埋置层具有第一导电类型；且其中，所述导电区域和所述漂移区域具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型。

8.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其中，所述隔离元件邻接所述第一终端区域和所述第二终端区域。

9.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其中，所述隔离元件在所述第一终端区域和所述第二终端区域之间连续地延伸。

10.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其中，所述导电区域包括高压阱。

11.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，还包括设置在所述导电区域内的埋置区域。

12.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其中，所述第一终端区域和所述第二终端区域各自包括：

漂移部分；

阱部分，设置在所述漂移部分内；以及

接触部分，设置在所述阱部分内。

13.根据权利要求12所述的静电放电保护装置，其中，所述第一导电板电性连接所述第一终端区域的所述接触部分；且其中，所述第二导电板电性连接所述第二终端区域的所述接触部分。

14.根据权利要求12所述的静电放电保护装置，其中，所述隔离元件在所述第一终端区域的所述接触部分和所述第二终端区域的所述接触部分之间延伸。

15.根据权利要求14所述的静电放电保护装置，其中，所述隔离元件延伸穿过所述第一终端区域的所述漂移区域和所述第二终端区域的所述漂移区域。

16.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其中，所述隔离元件包括硅局部氧化(LOCOS)元件；且其中，所述隔离元件部分地设置在所述导电区域内。