[发明专利]光罩组件、图形化掩膜及其形成方法、有源区的形成方法有效
申请号: | 202110295543.0 | 申请日: | 2021-03-19 |
公开(公告)号: | CN113066715B | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 钞付芳;张君君;吴志民 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 郭凤杰 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 组件 图形 化掩膜 及其 形成 方法 有源 | ||
1.一种光罩组件,用于在衬底上形成图形化掩膜,所述衬底具有第一区域以及包围所述第一区域的第二区域,其特征在于,所述光罩组件包括:
第一光罩,用于在所述衬底上形成第一图形化结构,所述第一图形化结构具有第一图形化开口,所述第一图形化开口包括多个沿Y方向延伸的条状图形,所述第一光罩的中心与所述衬底中心重合时,所述第一区域与所述第二区域的交界线两侧的所述条状图形之间的距离大于其他相邻两个所述条状图形之间的距离;
第二光罩,用于形成第二图形化结构,所述第二图形化结构用于覆盖所述第二区域的第一图形化开口,且具有第二图形化开口,所述第二图形化开口用于暴露所述第一区域内的所述第一图形化开口,所述第二光罩的中心以及所述第一光罩的中心与所述衬底中心重合时,所述第二图形化结构的开口边缘与第一区域内的与其相邻的所述条状图形之间的距离大于第一预设距离,第一预设距离为使得第一种不良现象的发生概率控制在工艺需求范围内的距离,第一种不良现象为第二光罩在X方向上具有偏移时所导致的图形化掩膜缺失,其中,X方向与Y方向相互垂直;
第三光罩,用于形成第三图形化结构,所述第一区域包括第一子区域与第二子区域,在所述条状图形的延伸方向上,所述第二子区域位于所述第一子区域的两侧,所述第三图形化结构形成在所述第一子区域中,用于覆盖所述第一子区域内的所述第一图形化开口。
2.根据权利要求1所述的光罩组件,其特征在于,所述第二光罩的中心以及所述第一光罩的中心与所述衬底中心重合时,所述第二图形化结构的开口边缘与其两侧相邻的条状图形之间的距离相同。
3.根据权利要求1或2所述的光罩组件,其特征在于,所述第二光罩的中心以及所述第三光罩的中心与所述衬底中心重合时,在所述条状图形的延伸方向上,所述第二图形化结构的开口边缘与所述第三图形化结构之间的距离小于第二预设距离,第二预设距离为使得第二种不良现象的发生概率控制在工艺需求范围内的距离,第二种不良现象为第二光罩在Y方向具有偏移时所导致的图形化掩膜缺失。
4.根据权利要求1所述的光罩组件,其特征在于,所述第一光罩包括多个第一遮挡部,所述多个第一遮挡部限定出所述第一光罩的透光区域,且所述第一光罩用于通过多重图形形成方法在所述衬底上形成第一图形化结构,所述条状图形在所述衬底上的正投影位于所述第一遮挡部在所述衬底上的正投影两侧。
5.根据权利要求4所述的光罩组件,其特征在于,所述多个第一遮挡部包括第一子部与第二子部,所述第一光罩的中心与所述衬底中心重合时,所述第一子部位于所述第一区域内,所述第二子部位于所述第二区域内,相邻的所述第一子部与所述第二子部之间的距离大于各所述第一子部之间的距离,并大于各所述第二子部之间的距离。
6.根据权利要求4所述的光罩组件,其特征在于,所述多个第一遮挡部包括第三子部与第四子部,所述第三子部位于所述第一区域以及第二区域内,沿与所述条状图形延伸方向垂直的方向上,所述第四子部跨域于所述第一区域与所述第二区域之间,所述第四子部在该方向的长度大于所述第四子部与与其相邻的所述第三子部之间的距离。
7.根据权利要求4所述的光罩组件,其特征在于,所述第一图形化开口为环状,且在所述衬底上的正投影环绕所述第一遮挡部在所述衬底上的正投影,环状的所述第一图形化开口包括平行且相对的两个所述条状图形。
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