[发明专利]采用薄膜密封的薄膜型体声波谐振器封装及其制造方法

权利要求书

1.一种具有薄膜密封结构的薄膜型体声波谐振器封装的制造方法，其特征在于：

作为体声波谐振器封装的制造方法，包括：

在基板的上侧形成包括下部电极、压电层以及上部电极的薄膜型体声波谐振器的步骤；

形成与上述薄膜型体声波谐振器的上部电极以及下部电极电气连接的多个内部板电极的步骤；

在上述内部板电极的上侧粘接合成树脂(PR)膜的步骤；

通过对上述合成树脂(PR)膜进行蚀刻而露出上述内部板电极的步骤；以及，

在上述合成树脂(PR)膜以及露出的内部板电极的上部形成密封层的步骤。

2.根据权利要求1所述的具有薄膜密封结构的薄膜型体声波谐振器封装的制造方法，其特征在于，还包括：

通过对上述内部板电极上侧的上述密封层进行蚀刻而形成再次露出内部板电极的导通孔的步骤。

3.根据权利要求2所述的具有薄膜密封结构的薄膜型体声波谐振器封装的制造方法，其特征在于，还包括：

在上述导通孔的内径表面形成导通孔内径绝缘层的步骤。

4.根据权利要求2或权利要求3所述的具有薄膜密封结构的薄膜型体声波谐振器封装的制造方法，其特征在于，还包括：

在上述密封层的上侧形成通过上述导通孔与上述内部板电极连接的外部板电极的步骤。

5.根据权利要求1所述的具有薄膜密封结构的薄膜型体声波谐振器封装的制造方法，其特征在于，还包括：

在形成上述薄膜型体声波谐振器之前在上述基板的上侧形成气腔的步骤。

6.根据权利要求1所述的具有薄膜密封结构的薄膜型体声波谐振器封装的制造方法，其特征在于：

上述形成密封层的步骤，包括对多个薄膜层进行层叠的屏障薄膜层叠步骤。

7.根据权利要求6所述的具有薄膜密封结构的薄膜型体声波谐振器封装的制造方法，其特征在于：

在上述屏障薄膜层叠步骤之间，还包括对在之前形成的各个屏障薄膜的表面处理步骤。

8.根据权利要求7所述的具有薄膜密封结构的薄膜型体声波谐振器封装的制造方法，其特征在于：

上述表面处理步骤，是利用如He、Ne、Ar、Kr等惰性气体和含N2、O2、N₂O、F的气体以及含Cl的气体中的至少一种的等离子体(Plasma)处理步骤。

9.根据权利要求6所述的具有薄膜密封结构的薄膜型体声波谐振器封装的制造方法，其特征在于，还包括：

在层叠最后一层屏障薄膜之后利用如H2、NH3等含氢的气体的等离子体(plasma)表面处理步骤。

10.根据权利要求6所述的具有薄膜密封结构的薄膜型体声波谐振器封装的制造方法，其特征在于，还包括：

在层叠最后一层屏障薄膜之后涂布疏水性物质的步骤。

11.一种薄膜型体声波谐振器封装，其特征在于：

具有根据权利要求1至权利要求10中的方法制造出的薄膜密封结构。

12.一种具有薄膜密封结构的薄膜型体声波谐振器封装，其特征在于，包括：

基板；

薄膜型体声波谐振器，形成于上述基板的上侧，包括下部电极、压电层以及上部电极；。

多个内部板电极，与上述上部电极以及下部电极电气连接；

合成树脂(PR)膜，在上述内部板电极上被内部板电极支撑；

密封层，在上述合成树脂(PR)膜上层叠形成；以及，

外部板电极，通过贯通上述合成树脂(PR)膜以及上述密封层的贯通孔与上述内部板电极连接。

13.根据权利要求12所述的具有薄膜密封结构的薄膜型体声波谐振器封装，其特征在于：

上述密封层包括多个屏障薄膜。