[发明专利]相变存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种相变存储器，其特征在于，包括：

由下至上依次层叠设置的第一导电线、相变存储单元以及第二导电线；其中，所述第一导电线和所述第二导电线平行于同一平面且彼此垂直，所述相变存储单元与所述第一导电线和所述第二导电线均垂直；

所述相变存储单元包括：层叠设置的第一诱导层和相变存储层；其中，所述第一诱导层，位于所述相变存储层和所述第一导电线之间，用于诱导所述相变存储层从非晶相向晶相转变。

2.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，

所述第一诱导层，包括：在第一温度下的第一相和第二温度下的第二相；其中，所述第一温度小于所述第二温度，所述第二温度小于或等于所述相变存储层从非晶相向晶相转变的相变温度；

所述第一诱导层，具体用于从所述第一相向所述第二相转变的过程中，对所述相变存储层施加应力作用，以诱导所述相变存储层从非晶相向晶相转变。

3.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述相变存储单元还包括：

第二诱导层，位于所述相变存储层和所述第二导电线之间，用于诱导所述相变存储层从非晶相向晶相转变。

4.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述相变存储单元还包括：选通层；其中，

所述选通层，位于所述第一导电线和所述第一诱导层之间；

或，

所述选通层，位于所述相变存储层和所述第二导电线之间。

5.根据权利要求3所述的相变存储器，其特征在于，所述第一诱导层和所述第二诱导层的组成材料包括：钛镍基形状记忆合金。

6.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述第一诱导层的厚度包括：5nm至10nm。

7.一种相变存储器的制作方法，其特征在于，包括：

形成第一导电线；

在所述第一导电线上形成相变存储单元；其中，所述相变存储单元包括层叠设置的第一诱导层和相变存储层；所述第一诱导层，位于所述相变存储层和所述第一导电线之间，用于诱导所述相变存储层从非晶相向晶相转变；

在所述相变存储单元上形成第二导电线；其中，所述第一导电线和所述第二导电线平行于同一平面且彼此垂直，所述相变存储单元与所述第一导电线和所述第二导电线均垂直。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述第一导电线上形成相变存储单元，还包括：

在所述相变存储层上形成第二诱导层；其中，所述第二诱导层，用于诱导所述相变存储层从非晶相向晶相转变。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述相变存储单元还包括：选通层和电极层；所述在所述第一导电线上形成相变存储单元包括：

在所述第一导电线上，形成由下至上依次层叠设置的所述电极层、所述选通层、所述第一诱导层以及所述相变存储层；

或，

在所述第一导电线上，形成由下至上依次层叠设置的所述第一诱导层、所述相变存储层、所述电极层以及所述选通层。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一诱导层的厚度包括：5nm至10nm。