[发明专利]一种基于相变材料的可调控红外伪装与隐身薄膜

权利要求书

1.一种基于相变材料的可调控红外伪装与隐身薄膜，其特征在于，包括：

分区控制电极，位于最底层，用于控制薄膜不同区域当中相变材料的相态；

第一光子晶体层，在所述分区控制电极上部，用于实现8-14um波段的辐射率调控；

第二光子晶体层，在所述第一光子晶体层上面，用于实现3-5um波段的辐射率调控；

超表面辐射层，在所述第二光子晶体层上面，用于实现5-8um波段的高辐射率。

2.根据权利要求1所述的基于相变材料的可调控红外伪装与隐身薄膜，其特征在于，所述分区控制电极由金属构成，在外界电路的控制下，通过不同脉宽与不同幅值的电流脉冲来控制相变材料的相态。

3.根据权利要求1所述的基于相变材料的可调控红外伪装与隐身薄膜，其特征在于，所述第一光子晶体层和第二光子晶体层均由相变材料薄膜和电介质材料薄膜交替生长构成。

4.根据权利要求3所述的基于相变材料的可调控红外伪装与隐身薄膜，其特征在于，所述相变材料为锗锑碲合金、硫化锑、二氧化钒、锗锑合金中的一种。

5.根据权利要求3所述的基于相变材料的可调控红外伪装与隐身薄膜，其特征在于，所述电介质材料为二氧化硅、硫化锌、锗、氮化钛中的一种。

6.根据权利要求3所述的基于相变材料的可调控红外伪装与隐身薄膜，其特征在于，所述第一光子晶体层的相变材料薄膜厚度为300-1500nm，电介质材料薄膜厚度为500-2000nm；所述第二光子晶体层的相变材料薄膜厚度为80-500nm，电介质材料厚度为100-800nm。

7.根据权利要求1所述的基于相变材料的可调控红外伪装与隐身薄膜，其特征在于，所述的第一光子晶体层满足以下条件：

当相变材料处于非晶态时，所述第一光子晶体层在8-14um波段处于低辐射率状态。

当相变材料处于晶态时，所述第一光子晶体层在8-14um波段处于高辐射率状态。

8.根据权利要求1所述的基于相变材料的可调控红外伪装与隐身薄膜，其特征在于，所述的第二光子晶体层满足以下条件：

当相变材料处于非晶态时，所述第二光子晶体层在3-5um波段处于低辐射率状态。

当相变材料处于晶态时，所述第二光子晶体层在3-5um波段处于高辐射率状态。

9.根据权利要求1所述的基于相变材料的可调控红外伪装与隐身薄膜，其特征在于，所述超表面辐射层由二维排列的纳米阵列构成。

10.根据权利要求9所述的基于相变材料的可调控红外伪装与隐身薄膜，其特征在于，所述纳米阵列由金属基元组合排列构成，所述金属为铜、铝、金、银中的一种。