[发明专利]一种测试结构和测试方法在审
申请号: | 202110298404.3 | 申请日: | 2021-03-19 |
公开(公告)号: | CN113097085A | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 杨盛玮 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 刘恋;张颖玲 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 测试 结构 方法 | ||
1.一种测试结构,其特征在于,包括:源测量单元和测试单元;其中,
所述源测量单元包括电压产生单元和电流检测单元;所述电压产生单元用于向所述测试单元施加测试电压,所述电流检测单元用于测量所述测试单元的击穿电流;测量到所述击穿电流时,停止施加测试电压;未测量到所述击穿电流时,继续施加测试电压,以引起多次电介质软击穿;其中,所述测试电压小于电介质硬击穿电压。
2.根据权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述测试单元包括:电阻器和示波器单元;其中,
所述示波器单元与所述电阻并联连接,所述示波器单元用于测量由所述击穿电流引起所述电阻上的电压。
3.根据权利要求2所述的测试结构,其特征在于,
所述示波器单元以第一频率测量所述电阻的电压;
所述电流检测单元以第二频率测量所述测试单元的击穿电流;
所述第一频率大于所述第二频率。
4.根据权利要求2所述的测试结构,其特征在于,
所述电阻的阻值小于电介质测试样本未电介质软击穿时的阻值。
5.根据权利要求2所述的测试结构,其特征在于,
所述电阻的阻值范围为50Ω-100Ω。
6.根据权利要求2所述的测试结构,其特征在于,
所述测试单元的数量为多个,多个所述测试单元之间并联连接。
7.根据权利要求1所述的测试结构,其特征在于,
所述源测量单元的功率小于等于1瓦。
8.一种测试方法,其特征在于,所述方法包括:
通过源测量单元中的电压产生单元向测试单元施加测试电压,并通过源测量单元中的电流检测单元测量测试单元的击穿电流;测量到所述击穿电流时,停止施加测试电压;未测量到所述击穿电流时,继续施加测试电压,以引起多次电介质软击穿;其中,所述测试电压小于电介质硬击穿电压;
测量所述测试单元中的电介质测试样本的电流-时间曲线,以得到对应于电介质测试样本的多次电介质软击穿的多个击穿时间。
9.根据权利要求8所述的测试方法,其特征在于,所述方法还包括:
通过所述测试单元中的示波器单元测量由所述击穿电流引起所述测试单元中的电阻上的电压,得到所述电阻的电压-时间曲线;
通过所述电阻的电压-时间曲线,得到对应于电介质测试样本的多次电介质软击穿的多个击穿时间。
10.根据权利要求9所述的测试方法,其特征在于,
所述示波器单元以第一频率测量所述电阻的电压;
所述电流检测单元以第二频率测量所述测试单元的击穿电流;
所述第一频率大于所述第二频率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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