[发明专利]声表面波应变传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种声表面波应变传感器，其特征在于，包括基底，所述基底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面上的有源区内形成有叉指换能器以及分别位于所述叉指换能器两侧的第一反射栅和第二反射栅，所述第二表面对应所述有源区的位置形成有至少一个凹槽以减薄传感器的谐振区以及同时减少粘胶在应变传递中产生的迟滞效应，且至少一个凹槽为多个矩形贯通窗口。

2.根据权利要求1所述的声表面波应变传感器，其特征在于，所述叉指换能器、所述第一反射栅和所述第二反射栅的电极长度为2000μm，电极宽度为4μm，电极高度为170nm。

3.一种声表面波应变传感器的制备方法，其特征在于，包括：

步骤一、在基底的未抛光一侧对应有源区的位置形成第一掩膜；

步骤二、通过所述第一掩膜刻蚀所述基底形成至少一个凹槽以减薄传感器的谐振区以及同时减少粘胶在应变传递中产生的迟滞效应，所述第一掩膜用于在所述基底上形成多个矩形贯通窗口；

步骤三、在所述基底的抛光一侧的有源区形成叉指换能器及分别位于所述叉指换能器两侧的第一反射栅和第二反射栅。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤二具体包括：通过所述第一掩膜，采用体积比为1:1的硝酸和磷酸混合液在水浴加热80℃的环境下腐蚀所述基底形成所述至少一个凹槽。

5.根据权利要求3～4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述步骤三包括：采用光刻工艺在所述基底的抛光一侧形成有源区掩膜；采用磁控溅射工艺在所述有源区掩膜上依次镀敷Ti粘附层、Pt电极层；采用半导体剥离工艺在所述有源区形成所述叉指换能器、所述第一反射栅和所述第二反射栅。