[发明专利]一种BaZrS3在审

专利信息
申请号: 202110299441.6 申请日: 2021-03-18
公开(公告)号: CN113193073A 公开(公告)日: 2021-07-30
发明(设计)人: 杨森;周超;于忠海;张垠 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/032;H01L21/363;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/18;C23C14/58;C01G25/00
代理公司: 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 代理人: 覃婧婵
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 bazrs base sub
【权利要求书】:

1.一种BaZrS3太阳能电池薄膜材料的制备方法,所述方法包括以下步骤:

S100、称取BaZrO3粉末并硫化处理得到靶材A;

S200、将蓝宝石放入磁控溅射系统中镀钨得到衬底B;

S300、对靶材A和衬底B进行镀膜得到样品C;

S400、将样品C进行热处理得到最终产物BaZrS3太阳能电池薄膜材料。

2.如权利要求1所述的方法,其中,优选的,其中步骤S100包括:

S101、将称量好的BaZrS3粉末盛入坩埚放入化学气相沉积炉,向炉内通氩气4-8h以排空炉内氧气;

S102、化学气相沉积炉内氧气排空后开始以5℃/min的速率升温至800-1100℃后,将氩气通道转移至装有CS2溶液的冷阱中保温3-4h以将BaZrS3粉末完全硫化,其中,所述保温时间取决于BaZrS3粉末的质量;

S103、待步骤102保温时间到后设置以5℃/min的速率降温至800-850℃时,关闭CS2进气口,将氩气通道转移至化学气相沉积炉,直到炉温降至室温,将残余CS2排除反应管,得到BaZrS3粉末;

S104、将所述BaZrS3粉末用有机溶剂清洗3-5次后干燥,球磨,造粒,然后压片得到靶材A。

3.如权利要求1所述的方法,其中,步骤S100中所述BaZrO3质量为5-10g,所述硫化处理在化学气相沉积炉中进行。

4.如权利要求3所述的方法,其中,所述有机溶剂是丙酮、酒精或者乙酸乙酯中的一种。

5.如权利要求1所述的方法,其中,步骤S200包括将所述靶材A放入脉冲激光沉积设备的溅射室中,抽真空至10-5Pa,选择蓝宝石基底,使所述靶材A和所述基底保持间距5-6cm,设置基底温度500-600℃,打开激光沉积设备溅射1-2h,得到样品C。

6.如权利要求5所述的方法,其中,所述激光的能量密度在5-6J/cm2

7.如权利要求1所述的方法,其中,步骤S400中所述热处理在化学气相沉积炉中进行。

8.如权利要求1所述的方法,其中,步骤S400包括取出样品C,将其放入化学气相沉积炉内通氩气4-6h后直至排空炉内氧气,将氩气通道转移至装有CS2溶液的冷阱中然后以5℃/min的速率升温至500-600℃保温6-8h后得到最终产物BaZrS3太阳能电池薄膜材料。

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