[发明专利]一种增强型高迁移率氮化镓半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110299527.9 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN113054002B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 孙慧卿;谭秀洋;夏凡;夏晓宇;马建铖;张淼;郭志友 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 佛山粤进知识产权代理事务所(普通合伙) 44463 | 代理人： | 耿鹏 |
| 地址： | 510000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 增强 迁移率 氮化 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种增强型高迁移率氮化镓半导体器件，其特征在于，其包括，依次层叠的蓝宝石衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、AlGaN梯度缓冲层、GaN/In0.12GaN超晶格背垒层、Al0.44GaN中间层及InAlGaN势垒层，位于所述InAlGaN势垒层上的源极金属、漏极金属和p-AlGaN栅极，位于所述p-AlGaN栅极表面的p-GaN栅极层与栅极金属的自对准结构，位于所述自对准结构、p-AlGaN栅极和InAlGaN势垒层表面的介电层，以及位于所述介电层上与所述栅极金属接触并朝向所述漏极金属延伸的场板，
其中，所述p-GaN栅极层与栅极金属的自对准结构位于所述p-AlGaN栅极表面靠近所述源极金属的一侧；
所述AlGaN梯度缓冲层包括依次层叠的Al0.3GaN缓冲层、Al0.24GaN缓冲层、Al0.18GaN缓冲层、Al0.12GaN缓冲层和Al0.06GaN缓冲层，所述InAlGaN势垒层为InN/AlN/GaN短周期超晶格结构，所述GaN/In0.12GaN超晶格背垒层的周期数为20。
2.根据权利要求1的所述增强型高迁移率氮化镓半导体器件，其特征在于，所述InAlGaN势垒层为厚度为12nm的In0.17Al0.42Ga0.41N势垒层。
3.根据权利要求1的所述增强型高迁移率氮化镓半导体器件，其特征在于，单个所述GaN/In0.12GaN超晶格背垒层中，GaN的厚度为2nm，In0.12GaN的厚度为3nm。
4.根据权利要求1的所述增强型高迁移率氮化镓半导体器件，其特征在于，所述AlN成核层的厚度为100nm，所述GaN缓冲层的厚度为1μm，且所述GaN缓冲层邻接所述AlGaN梯度缓冲层的表面平整。
5.根据权利要求1的所述增强型高迁移率氮化镓半导体器件，其特征在于，所述AlGaN梯度缓冲层的厚度为500nm，其宽高比小于6.7。
6.根据权利要求1的所述增强型高迁移率氮化镓半导体器件，其特征在于，所述Al0.44GaN中间层的厚度为2nm；所述p-AlGaN栅极的Al组分为12%~18%，厚度为2~3nm，其掺杂浓度为1×1015cm-3 ~ 3×1015cm-3；所述p-GaN栅极层的厚度为10~200nm，其掺杂浓度为1×1018cm-3 ~ 1×1021cm-3。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南师范大学，未经华南师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110299527.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高外量子效率的深紫外LED及其制备方法
- 下一篇：一种装修用墙面刨沟装置
- 同类专利
- 专利分类
