[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成若干层层间介质层，形成一层所述层间介质层的方法包括：在所述基底上形成初始层间介质层，所述初始层间介质层内具有自由基氟；对所述初始层间介质层进行去氟处理以形成层间介质层，所述去氟处理的方法包括：使所述初始层间介质层内的自由基氟扩散至所述初始层间介质层的表面，其中，在自由基氟扩散至初始层间介质层的表面之前与之后，初始层间介质层内自由基氟的浓度分布不同；去除扩散至所述初始层间介质层表面的自由基氟。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述层间介质层内自由基氟的质量浓度百分比在0.02％以下。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，通过1次以上的退火工艺使所述初始层间介质层内的自由基氟扩散至所述初始层间介质层的表面。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除扩散至初始层间介质层表面的自由基氟的方法包括：使第一气体与扩散至初始层间介质层表面的自由基氟反应，形成副产物气体；去除所述副产物气体。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一气体包括硅烷、氢气和氮气中的至少一种；所述副产物气体包括：氟化硅气体、氟化氢气体和氟化氮气体中的至少一种。

6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述退火工艺的过程中，所述第一气体与初始层间介质层表面的自由基氟反应。

7.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除副产物气体的方法包括：在所述退火工艺的过程中，将反应腔室内的副产物气体向反应腔室外抽取。

8.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述退火工艺的温度范围为300摄氏度～500摄氏度。

9.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述退火工艺的时长范围为10秒～100秒。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成初始层间介质层的方法包括：在所述基底上沉积层间介质材料层；刻蚀或平坦化所述层间介质材料层，以形成所述初始层间介质层。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成一层所述层间介质层的方法还包括：在形成层间介质层后，刻蚀或平坦化所述层间介质层。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述层间介质层的材料中包括硅-氟键。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述层间介质层的材料包括掺杂氟的二氧化硅。