[发明专利]一种电子束制备高硅铝硅合金涂层的工艺方法有效
申请号: | 202110301701.9 | 申请日: | 2021-03-22 |
公开(公告)号: | CN113059158B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 高波;张莹;孙悦;刘状;尹俊太;李魁;付海洋 | 申请(专利权)人: | 东北大学 |
主分类号: | B22F7/04 | 分类号: | B22F7/04;C22C21/02;B22F1/10;B22F3/105 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 陈玲玉 |
地址: | 110819 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电子束 制备 高硅铝硅 合金 涂层 工艺 方法 | ||
1.一种电子束制备高硅铝硅合金涂层的工艺方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)混粉:按照原料的配比将Al粉、Si粉、稀土氧化物粉末放入混粉机中,混粉时间为2~5h;所述原料的配比按重量百分数为Al粉55~80wt.%、Si粉20~45wt.%、稀土氧化物为0.1~1wt.%;
(2)表面预处理:将混粉后的混合粉末掺 入胶黏剂,并将其涂抹在抛光后的铝块上,准备电子束处理;
(3)电子束表面改性:将表面预处理后的铝块置于真空条件下,对其表面进行强流脉冲电子束的辐照。
2.根据权利要求1所述的一种电子束制备高硅铝硅合金涂层的工艺方法,其特征在于,所述胶黏剂为纤维素酯、聚乙烯醇、聚酯、聚醚、聚酰胺、聚丙烯酸酯、α-氰基丙烯酸酯、聚乙烯醇缩醛、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种电子束制备高硅铝硅合金涂层的工艺方法,其特征在于,所述Al粉、Si粉以及稀土氧化物的粒度分别为Al粉200~350目,Si粉0.5~5μm,稀土氧化物为0.5~1.5μm。
4.根据权利要求1所述的一种电子束制备高硅铝硅合金涂层的工艺方法,其特征在于,所述稀土氧化物为氧化镧、氧化铈、氧化钕以及氧化镨中的一种。
5.根据权利要求1所述的一种电子束制备高硅铝硅合金涂层的工艺方法,其特征在于,步骤(3)中真空条件为6×10-3Pa。
6.根据权利要求1所述的一种电子束制备高硅铝硅合金涂层的工艺方法,其特征在于,步骤(3)中强流脉冲电子束辐照的工艺参数具体如下:加速电压25kV,脉冲次数为50次,能量密度为3J/cm2。
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