[发明专利]一种显示基板及其制作方法有效
申请号: | 202110301833.1 | 申请日: | 2021-03-22 |
公开(公告)号: | CN113097241B | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 刘念;卢马才 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;G09F9/30 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制作方法 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板包括平坦区和折叠区,所述平坦区包括薄膜晶体管区、电容区和绑定区,所述显示基板在纵向包括:
基板;
位于所述基板上的金属层,所述金属层包括位于所述薄膜晶体管区的源极和漏极,以及位于所述折叠区的第一金属线,所述第一金属线 作为数据线;
覆盖所述源极和所述漏极的第一层间介质层和位于所述第一金属线上的第二层间介质层,所述第一层间介质层在所述源极和所述漏极的上方分别具有开孔;
位于所述第一层间介质层、源极和漏极上的第一导体层,所述第一导体层通过所述开孔与所述源极和所述漏极连接;
位于所述第一导体层上的第一栅极绝缘层,以及位于所述第二层间介质层上的第二栅极绝缘层;
位于所述第一栅极绝缘层上的第一栅极层,以及位于所述第二栅极绝缘层上的第二栅极层,所述第二栅极层作为扫描线;
覆盖所述第一金属线、所述第二层间介质层、所述第二栅极绝缘层和所述第二栅极层的有机层。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述金属层还包括位于所述绑定区的第二金属线,所述显示基板在所述纵向还包括:位于所述第二金属线上的第二导体层,以及位于所述第二导体层上的阳极层。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述金属层还包括位于所述电容区的遮光层,所述显示基板在所述纵向还包括:位于所述遮光层上的第三栅极绝缘层,以及位于所述第三栅极绝缘层上的第三栅极层;其中,所述遮光层、所述第三栅极绝缘层和所述第三栅极层形成电容结构。
4.一种显示基板的制作方法,其特征在于,所述显示基板包括平坦区和折叠区,所述平坦区包括薄膜晶体管区、电容区和绑定区,所述制作方法包括:
提供基板;
在所述基板上形成图案化的金属层,所述金属层包括位于所述薄膜晶体管区的源极和漏极,以及位于所述折叠区的第一金属线;
形成覆盖所述源极和所述漏极的第一层间介质层和位于所述第一金属线上的第二层间介质层,所述第一层间介质层在所述源极和所述漏极的上方分别具有开孔;
形成位于所述第一层间介质层、所述源极和所述漏极上的第一有源层,所述第一有源层通过所述开孔与所述源极和所述漏极连接;
形成位于所述第一有源层上的第一栅极绝缘层,以及位于所述第二层间介质层上的第二栅极绝缘层;
形成位于所述第一栅极绝缘层上的第一栅极层,以及位于所述第二栅极绝缘层上的第二栅极层;
对所述第一有源层进行导体化工艺以形成第一导体层;
形成覆盖所述第一金属线、所述第二层间介质层、所述第二栅极绝缘层和所述第二栅极层的有机层。
5.根据权利要求4所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述金属层还包括位于所述绑定区的第二金属线;在所述形成位于所述第一层间介质层、所述源极和所述漏极上的第一有源层步骤的过程中,还包括形成位于所述第二金属线上的第二有源层;在对所述第一有源层进行导体化工艺以形成第一导体层步骤的过程中,还包括对所述第二有源层进行导体化工艺以形成第二导体层;所述制作方法还包括形成位于所述第二导体层上的阳极层。
6.根据权利要求4所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述形成位于所述第一有源层上的第一栅极绝缘层的步骤和所述形成位于所述第一栅极绝缘层上的第一栅极层的步骤,包括:
在所述第一有源层上蒸镀栅极绝缘材料;
在所述栅极绝缘材料上蒸镀栅极材料;
利用掩模板对所述栅极材料进行图案化工艺,以形成所述第一栅极层;
利用自对准工艺对所述栅极绝缘材料进行图案化工艺,以形成所述第一栅极绝缘层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的