[发明专利]三维集成电路及其制造方法在审
| 申请号： | 202110303603.9 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN112908987A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 于国庆;王嵩 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/528;H01L27/108;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 李星宇;郑建晖 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维集成电路 及其 制造 方法 | ||
1.一种三维集成电路，包括：
存储器晶片，所述存储器晶片的金属层设置有多个第一电源线，所述多个第一电源线用于为所述存储器晶片上的电路供电；
逻辑晶片，所述逻辑晶片的金属层设置有多个第二电源线，所述多个第二电源线用于为所述存储器晶片上的电路供电；
其中所述多个第一电源线中的每一个第一电源线与所述多个第二电源线中的一个相应的第二电源线并联连接。
2.根据权利要求1所述的三维集成电路，其特征在于，所述存储晶片的顶部金属层的第一电源线与所述逻辑晶片的顶部金属层的第二电源线在一一对应的多个位置处混合键合。
3.根据权利要求1或2所述的三维集成电路，其特征在于，所述存储器晶片是动态随机存储器晶片。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的三维集成电路，其特征在于，所述逻辑晶片设置有电源管脚，所述电源管脚与所述逻辑晶片的金属层的第二电源线连接。
5.根据权利要求4所述的三维集成电路，其特征在于，所述多个第一电源线中的至少一个第一电源线被设置在所述存储器的顶部金属层中并且在位置上对应于与所述电源管脚都邻接的第二电源线。
6.根据权利要求5所述三维集成电路，其特征在于，所述混合键合的位置包括与所述电源管脚都邻接的第二电源线与所述电源管脚邻接的位置。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的三维集成电路，其特征在于，所述存储器晶片的第一电源线具有不小于10μm的等效宽度。
8.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括根据权利要求1-7中的任一项所述的三维集成电路。
9.一种制造三维集成电路的方法，其特征在于，所述方法包括：
获取存储器晶片，所述存储器晶片的金属层设置有多个第一电源线，所述多个第一电源线用于给所述存储器晶片上的电路供电；
获取逻辑晶片，所述逻辑晶片的金属层设置有多个第二电源线，所述多个第二电源线用于为所述存储器晶片上的电路供电；以及
将所述多个第一电源线中的每一个第一电源线与所述多个第二电源线中的一个相应的第二电源线并联连接。
10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括根据权利要求9所述的方法制造的三维集成电路。
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