[发明专利]一种全光谱LED光源的制造方法在审

专利信息
申请号: 202110304572.9 申请日: 2021-03-23
公开(公告)号: CN113097364A 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 李清 申请(专利权)人: 李清
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/50;H01L21/66
代理公司: 广州蓝晟专利代理事务所(普通合伙) 44452 代理人: 范顺萍
地址: 425600 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 光谱 led 光源 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种全光谱LED光源的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:

对蓝光LED芯片进行筛选,获取需要的蓝光LED芯片;

对正常色温荧光粉进行测试,选出所需要的荧光粉,并将选出的荧光粉制备成第一荧光胶;

将所述第一荧光胶涂覆在所述蓝光LED芯片上形成荧光膜,获得LED光源半成品;

将用于屏蔽或去除特定峰值波长的第二荧光胶涂敷在所述LED光源半成品上,获得初步LED光源;

对获取的所述初步LED光源进行相关的RGB波长与色比检测,得出检测结果;

根据所述检测结果对所述初步LED光源进行调整,得到LED光源成品。

2.根据权利要求1所述的全光谱LED光源的制造方法,其特征在于,所述第二荧光胶由第二黄色荧光粉、第二绿色荧光粉与硅胶混合而成,所述第二黄色荧光粉、所述第二绿色荧光粉的总重量占所述荧光胶的重量比20%~40%。

3.根据权利要求2所述的全光谱LED光源的制造方法,其特征在于,所述第二黄色荧光粉在所述蓝光LED芯片发射的光的激发下发出峰值波长为505-590nm的光,所述第二绿色荧光粉在所述蓝光LED芯片发射的光的激发下发出峰值波长为590-650nm的光。

4.根据权利要求2所述的全光谱LED光源的制造方法,其特征在于,所述制备第二荧光胶的步骤包括:

将所述第二黄色荧光粉、所述第二绿色荧光粉与所述硅胶搅拌混合形成原料;其中,所述第二黄色荧光粉和所述第二绿色荧光粉的重量份数比为:(2~4):(1~2.5);

将所述原料放入脱泡机中进行脱泡,形成所述第二荧光胶。

5.根据权利要求4所述的全光谱LED光源的制造方法,其特征在于,所述将所述原料放入脱泡机中进行脱泡,形成所述第二荧光胶的步骤后,还包括:

将脱泡后的所述第一荧光胶放入干燥箱进行干燥;其中,所述干燥箱的温度的取值范围为0.2~0.4℃。

6.根据权利要求1所述的全光谱LED光源的制造方法,其特征在于,所述对蓝光LED芯片进行筛选,获取需要的蓝光LED芯片的步骤,包括:

接收所述蓝光LED芯片的光束;

对所述光束进行频谱分析,获取所述光束对应的频谱信息;

根据所述频谱信息筛选出需要的所述蓝光LED芯片。

7.根据权利要求6所述的全光谱LED光源的制造方法,其特征在于,所述频谱信息包括波长峰值和波长峰值对应的强度。

8.根据权利要求7所述的全光谱LED光源的制造方法,其特征在于,所述波长峰值范围为465~470nm。

9.根据权利要求1所述的全光谱LED光源的制造方法,其特征在于,所述第一荧光胶由第一红色荧光粉、第一绿色荧光粉和第一黄绿色荧光粉与硅胶混合而成,所述第一红色荧光粉、所述第一黄色荧光粉、所述第一黄绿色荧光粉的总重量占所述荧光胶的重量比30%~40%。

10.根据权利要求9所述的全光谱LED光源的制造方法,其特征在于,所述第一红色荧光粉在所述蓝光LED芯片发射的光的激发下发出峰值波长为470~550nm的光,所述第一绿色荧光粉在所述蓝光LED芯片发射的光的激发下发出峰值波长为500~620nm的光,所述第一黄绿色荧光粉在所述蓝光LED芯片发射的光的激发下发出峰值波长为620~780nm的光。

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