[发明专利]化学气相沉积方法、三维存储器及制备方法、存储器系统

权利要求书

1.一种化学气相沉积方法，其特征在于，包括：

提供功能结构，所述功能结构上设有通孔；

在所述通孔内形成层叠设置的多个导电层，每个所述导电层包括层叠设置的形核层与子导电层，所述形核层与所述子导电层的材质包括钨。

2.如权利要求1所述的化学气相沉积方法，其特征在于，“在所述通孔内形成层叠设置的多个导电层”包括：

在所述通孔内形成层叠设置的多个导电层，且所述形核层相较于所述子导电层靠近所述通孔的内壁。

3.如权利要求2所述的化学气相沉积方法，其特征在于，“在所述通孔内形成层叠设置的多个导电层”包括：

在所述通孔内形成层叠设置的多个导电层，且所述多个子导电层中远离所述内壁的所述子导电层相连接。

4.如权利要求1所述的化学气相沉积方法，其特征在于，“在所述通孔内形成层叠设置的多个导电层”包括：

在所述通孔的内壁上或者所述子导电层背离所述内壁的一侧形成所述形核层；

在所述形核层背离所述内壁的一侧形成所述子导电层。

5.如权利要求4所述的化学气相沉积方法，其特征在于，“在所述通孔的内壁上或者所述子导电层背离所述内壁的一侧形成所述形核层”包括：

向所述通孔内通入形核气体，以在所述通孔的内壁上或者所述子导电层背离所述内壁的一侧形成所述形核层；其中，所述形核气体包括六氟化钨与硅烷。

6.如权利要求4所述的化学气相沉积方法，其特征在于，在“在所述通孔的内壁上或者所述子导电层背离所述内壁的一侧形成所述形核层”之后，还包括：

对所述形核层进行钝化处理。

7.如权利要求6所述的化学气相沉积方法，其特征在于，“对所述形核层进行钝化处理”包括：

向所述通孔内通入钝化气体，以对所述形核层进行钝化处理；其中，所述钝化气体包括氮气。

8.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供衬底，所述衬底上设有堆叠结构，所述堆叠结构包括依次层叠设置的介电层和栅极层，所述堆叠结构的一端形成台阶部，平坦层覆盖所述衬底与所述堆叠结构；

形成贯穿所述平坦层的第一通孔，位于所述台阶部的所述栅极层自所述第一通孔露出；以及

在所述第一通孔内形成层叠设置的多个第一导电层，所述第一导电层接触所述栅极层，每个所述第一导电层包括层叠设置的形核层与子导电层，所述形核层与所述子导电层的材质包括钨。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，还包括：

形成贯穿所述平坦层的第二通孔，至少部分所述衬底自所述第二通孔露出；

在所述第二通孔内形成层叠设置的多个第二导电层，所述第二导电层接触所述衬底，每个所述第二导电层包括层叠设置的所述形核层与所述子导电层。

10.一种三维存储器，其特征在于，所述三维存储器包括：

衬底；

设于所述衬底一侧的堆叠结构，所述堆叠结构包括依次层叠设置的介电层和栅极层；所述堆叠结构包括相连接的台阶部与存储部；

覆盖所述衬底与所述堆叠结构的平坦层；以及

贯穿所述平坦层的第一导电件，并与位于所述台阶部的所述栅极层相接触，所述第一导电件包括层叠设置的多个第一导电层，每个所述第一导电层包括层叠设置的形核层与子导电层，所述形核层与所述子导电层的材质包括钨。

11.如权利要求10所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括：

贯穿所述平坦层的第二导电件，并与所述衬底相接触，所述第二导电件包括层叠设置的多个第二导电层，每个所述第二导电层包括层叠设置的所述形核层与所述子导电层。

12.如权利要求10所述的三维存储器，其特征在于，所述多个子导电层中远离所述平坦层的所述子导电层相连接。