[发明专利]化学气相沉积方法、三维存储器及制备方法、存储器系统

说明书

本申请提供了化学气相沉积方法、三维存储器及制备方法、存储器系统。其中化学气相沉积方法包括提供功能结构，所述功能结构上设有通孔。通入反应气体，在所述通孔的内壁上形成形核层；其中，所述反应气体包括六氟化钨和硅烷。本申请提供的方法，通过先在功能结构上设置通孔，随后通入反应气体，以在功能结构形成通孔的内壁上形成形核层。其中，反应气体包括六氟化钨和硅烷。六氟化钨和硅烷反应的吉布斯自由能较大，因此在相同的反应条件下，六氟化钨和硅烷反应形成的形核层的晶粒更小，因此更有利于后续金属钨的填充与生长，增加了金属钨的填充能力，提高了后续形成的导电件的质量。

技术领域

本申请属于半导体器件技术领域，具体涉及化学气相沉积方法、三维存储器及制备方法、存储器系统。

背景技术

由于三维存储器的功耗低、质量轻、并且属于性能优异的非易失存储产品，在电子产品中得到了越来越广泛的应用。但同时用户对三维存储器的期望值与要求也越来越高。例如，三维存储器内包括各种功能的电连接件。电连接件的形成通常需要在其他结构设置通孔，随后在通孔的内壁上通过化学气相沉积形成电连接件。但随着三维存储器层数的不断增加，通孔的深宽比不断加大，传统金属钨的生长方式越来越难以满足填充需求，导致电连接件的形成越来越难，质量越来越差。

发明内容

鉴于此，本申请第一方面提供了一种化学气相沉积方法，包括：

提供功能结构，所述功能结构上设有通孔；

通入反应气体，在所述通孔的内壁上形成形核层；其中，所述反应气体包括六氟化钨和硅烷。

本申请第一方面提供的化学气相沉积方法，通过先在功能结构上设置通孔，随后通入反应气体，在所述通孔的内壁上形成形核层。其中，反应气体包括六氟化钨和硅烷。六氟化钨和硅烷反应的吉布斯自由能较大，因此在相同的反应条件下，六氟化钨和硅烷反应形成的形核层的晶粒更小，因此更有利于后续金属钨的填充与生长，增加了金属钨的填充能力，提高了后续形成的导电件的质量。

其中，“通入反应气体，在所述通孔的内壁上形成形核层”包括：

向所述通孔内通入反应气体，在所述通孔的内壁上形成形核层。

其中，“通入反应气体，在所述通孔的内壁上形成形核层”包括：

将所述功能结构置于反应腔室内，并向所述反应腔室内通入反应气体，使所述功能结构置于所述反应气体的气氛中，以在所述内壁上形成形核层。

其中，“通入反应气体，在所述通孔的内壁上形成形核层”包括：

通入硅烷气体，并使所述硅烷气体充满所述通孔；

通入六氟化钨气体，以在所述通孔的内壁上形成形核层。

其中，在“通入反应气体，在所述通孔的内壁上形成形核层”之后，还包括：

在所述形核层背离所述内壁的一侧形成子导电层，所述形核层与所述子导电层构成导电层。

其中，在“在所述形核层背离所述内壁的一侧形成子导电层”之前，还包括：

向所述通孔内通入钝化气体，以对所述形核层进行钝化处理；其中，所述钝化气体包括氮气。

其中，在“在所述形核层背离所述内壁的一侧形成子导电层”之后，所述制备方法还包括：

在所述子导电层背离所述衬底的一侧依次沉积多个所述形核层与多个所述子导电层，以形成层叠设置的多个所述导电层，且多个所述子导电层中远离所述内壁的所述子导电层相连接。

本申请第二方面提供了一种三维存储器的制备方法，所述制备方法包括：