[发明专利]一种半导体设备

权利要求书

1.一种半导体设备，其特征在于，包括工艺腔室和设置在所述工艺腔室内部且均为导体的基座和卡环，所述基座用于承载待加工件，所述卡环用于在进行沉积工艺时环绕所述基座的外周设置且与所述基座相接，且所述卡环的内径大于所述待加工件的直径；所述半导体设备还包括电位调节系统，所述电位调节系统包括：

电荷接收件，所述电荷接收件材质为导体，且所述电荷接收件用于在进行所述沉积工艺时接收所述沉积工艺中的等离子体；

信号处理装置，用于获取所述电荷接收件的电位，并计算出待加工件的理论电位；

电源，向所述基座或所述卡环输出设定偏压，所述设定偏压的值为所述待加工件的理论电位值，以使所述基座外表面的电位、所述待加工件上表面的电位以及所述卡环外表面的电位均在预设范围内；

所述卡环设置有与所述电荷接收件形状适配的凹部，所述电荷接收件至少部分位于所述凹部内，且所述电荷接收件与所述卡环电绝缘设置。

2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述信号处理装置和所述电源均位于所述工艺腔室外部，所述信号处理装置通过穿过所述工艺腔室壁的第一信号线与所述电荷接收件连接，所述电源通过第二信号线与所述基座连接。

3.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述电荷接收件与所述待加工件之间设有第一距离，以使所述电荷接收件表面接收的电荷面密度与所述待加工件表面接收的电荷面密度相同。

4.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，还包括通过螺钉或者粘合方式连接设置于所述电荷接收件的下方的绝缘件，所述卡环在所述凹部的下方还设置有通孔，所述通孔用于容置所述绝缘件。

5.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述电荷接收件位于所述凹部中的部分的径向外周与所述凹部之间设有环形空隙。

6.根据权利要求5所述的半导体设备，其特征在于，所述电荷接收件的纵向剖面上宽下窄，所述电荷接收件的上表面与所述卡环的上表面齐平设置；或者所述电荷接收件的上表面高于所述卡环的上表面，且所述电荷接收件的上表面在所述卡环上表面上的投影覆盖所述环形空隙。

7.根据权利要求5所述的半导体设备，其特征在于，所述电源为直流电源时，所述环形空隙的径向宽度为0.1mm-20mm，所述电源为射频电源时，所述环形空隙的径向宽度为0.1mm-2mm。

8.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述电荷接收件的外表面积与所述电荷接收件的上表面积成比例设置，所述电荷接收件的上表面为能够接收等离子体的表面。

9.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备为PVD设备。