[发明专利]显示装置

权利要求书

1.一种显示装置，包括：

基体基底；

氧化物半导体层，设置在所述基体基底上并且包括第一沟道区；

第一栅极绝缘层，设置在所述氧化物半导体层的所述第一沟道区上并且与所述氧化物半导体层的所述第一沟道区重叠；

第一上部栅极电极，设置在所述第一栅极绝缘层上，并且所述第一上部栅极电极与所述第一栅极绝缘层重叠；以及

上部层间绝缘层，设置在所述第一上部栅极电极上，并且所述上部层间绝缘层覆盖所述第一上部栅极电极、所述第一栅极绝缘层的侧表面和所述氧化物半导体层的上表面，

其中，所述上部层间绝缘层包括设置在所述第一上部栅极电极上的第一上部层间绝缘层、设置在所述第一上部层间绝缘层上的第二上部层间绝缘层、和设置在所述第二上部层间绝缘层上的第三上部层间绝缘层，

所述第一上部层间绝缘层包括氧化硅，

所述第二上部层间绝缘层和所述第三上部层间绝缘层中的每一个包括氮化硅，并且

所述第二上部层间绝缘层中的氢浓度小于所述第三上部层间绝缘层中的氢浓度。

2.根据权利要求1所述的显示装置，

其中，所述第一上部层间绝缘层直接接触所述第一上部栅极电极、所述第一栅极绝缘层的所述侧表面和所述氧化物半导体层的所述上表面；

其中，所述第二上部层间绝缘层设置在所述第一上部层间绝缘层和所述第三上部层间绝缘层之间；

其中，所述第二上部层间绝缘层直接设置在所述第一上部层间绝缘层上；并且

所述第三上部层间绝缘层直接设置在所述第二上部层间绝缘层上。

3.根据权利要求2所述的显示装置，

其中，所述第二上部层间绝缘层中的所述氢浓度为1E+22原子/cm³或更低。

4.根据权利要求2所述的显示装置，

其中，所述第二上部层间绝缘层具有从至的厚度；

其中，所述第一上部层间绝缘层具有从至的厚度；

其中，所述显示装置还包括：

第一源极电极和第一漏极电极，设置在所述上部层间绝缘层上，

其中，所述第一源极电极通过贯穿所述上部层间绝缘层的第一接触孔连接到所述氧化物半导体层，并且

所述第一漏极电极通过贯穿所述上部层间绝缘层的第二接触孔连接到所述氧化物半导体层。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：

第一连接电极，设置在所述上部层间绝缘层上，

其中，所述第一连接电极与所述第一源极电极设置在相同的层中，并且

所述第一连接电极通过贯穿所述上部层间绝缘层的第三接触孔连接到所述第一上部栅极电极。

6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：

第一下部栅极电极，设置在所述基体基底和所述氧化物半导体层之间；和

下部层间绝缘层，设置在所述第一下部栅极电极和所述氧化物半导体层之间，

其中，所述第一下部栅极电极与所述第一上部栅极电极重叠。

7.根据权利要求6所述的显示装置，

其中，所述下部层间绝缘层包括接触所述第一下部栅极电极的第一下部层间绝缘层和设置在所述第一下部层间绝缘层和所述氧化物半导体层之间的第二下部层间绝缘层，

其中，所述第一下部层间绝缘层包括氮化硅，并且所述第二下部层间绝缘层包含氧化硅。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：

电容器电极，与所述第一下部栅极电极设置在相同的层中并且与所述第一下部栅极电极间隔开；

上部栅极绝缘层，设置在所述电容器电极和所述基体基底之间；以及

第二栅极电极，设置在所述上部栅极绝缘层和所述基体基底之间，

其中，所述第二栅极电极与所述电容器电极重叠。