[发明专利]使用薄金属硅化物阳极的自对准光角度传感器

权利要求书

1.一种无需校准的自对准光角度传感器，包括：

基板；

设置在所述基板上的阴极；

设置在所述阴极上的本征层；

左阳极和右阳极，均布置在所述本征层上并被配置为感测其中的光；

钝化层，至少部分覆盖所述左阳极和右阳极；和

在所述左阳极和所述右阳极附近设置的阻挡件。

2.根据权利要求1所述的自对准光角度传感器，其中所述左阳极和所述右阳极包含金属。

3.根据权利要求1所述的自对准光角度传感器，其中所述左阳极和所述右阳极包含金属硅化物。

4.根据权利要求3所述的自对准光角度传感器，其中所述金属硅化物被配置为肖特基二极管。

5.根据权利要求1所述的自对准光角度传感器，其中所述阻挡件包含金属。

6.根据权利要求1所述的自对准光角度传感器，其中所述本征层包含未掺杂的硅。

7.根据权利要求1所述的自对准光角度传感器，还包括设置在所述阻挡件上的介电层。

8.根据权利要求7所述的自对准光角度传感器，还包括滤光器。

9.一种设备，其包括根据权利要求1-8中任一项所述的自对准光角度传感器。

10.一种自对准光角度传感器的制造方法，该方法包括：

提供基板；

在所述基板上沉积阴极；

在所述阴极上外延生长本征层；

提供左阳极和右阳极，均布置在所述本征层上并被配置为感测其中的光；

沉积钝化层，至少部分覆盖所述左阳极和右阳极；和

在所述左阳极和右阳极附近放置阻挡件。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述左阳极和所述右阳极包含金属硅化物。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括配置金属硅化物以用作肖特基二极管。

13.根据权利要求10所述的方法，其中所述阻挡件包括非常薄的金属层。

14.根据权利要求10所述的方法，其中所述本征层包含未掺杂的硅。

15.根据权利要求10所述的方法，还包括沉积滤光器。

16.根据权利要求10所述的方法，还包括测量所述左阳极上的第一电流和所述右阳极上的第二电流。

17.根据权利要求16所述的方法，还包括计算所述第一电流和所述第二电流的比率。

18.根据权利要求17所述的方法，还包括基于所述第一电流和所述第二电流的比率来推导入射角。

19.一种光角度传感器，包括：

阴极；

在所述阴极上的本征层；

左阳极和右阳极，均布置在所述本征层上并被配置为在其中感测光；

钝化层，至少部分覆盖所述左阳极和右阳极；和

阻挡件，放置在所述左阳极和右阳极附近，

其中所述左阳极和右阳极包括金属硅化物。

20.根据权利要求19所述的光角度传感器，还包括：

所述金属硅化物被配置来作为肖特基二极管。