[发明专利]具有静电放电保护的无源可调谐集成电路在审

专利信息
申请号: 202110306127.6 申请日: 2021-03-23
公开(公告)号: CN113517859A 公开(公告)日: 2021-10-19
发明(设计)人: G·P·威尔 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H03D7/16 分类号: H03D7/16
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 秦晨
地址: 美国亚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 静电 放电 保护 无源 调谐 集成电路
【权利要求书】:

1.一种无源可调谐集成电路,所述无源可调谐集成电路包括:

可变电容器,所述可变电容器包括耦接在输入电极与输出电极之间的电容器阵列,所述电容器阵列中的至少一个电容器具有耦接到射频接地电极的可调谐电介质;和

输入静电放电保护电路,所述输入静电放电保护电路耦接在所述输入电极与所述射频接地电极之间,所述输入静电放电保护电路包括至少一个火花隙。

2.根据权利要求1所述的无源可调谐集成电路,其中所述电容器阵列包括具有无曲线拓扑结构的多个串联连接的电容器。

3.根据权利要求1所述的无源可调谐集成电路,所述无源可调谐集成电路还包括:

输出静电放电保护电路,所述输出静电放电保护电路耦接在所述输出电极与所述射频接地电极之间,所述输出静电放电保护电路包括至少一个火花隙,其中所述输入静电放电保护电路的所述至少一个火花隙和所述输出静电放电保护电路的所述至少一个火花隙是平面的并且位于第一金属层上,并且其中所述输入电极、所述输出电极、所述射频接地电极以及所述至少一个火花隙位于所述第一金属层上。

4.根据权利要求1所述的无源可调谐集成电路,其中所述至少一个火花隙包括圆形电极或三角形电极。

5.根据权利要求1所述的无源可调谐集成电路,其中所述可调谐电介质为钛酸锶钡(BST)。

6.一种用于移动设备的射频调谐器,所述射频调谐器包括:

无源可调谐集成电路,所述无源可调谐集成电路包括:

输入静电放电保护电路,所述输入静电放电保护电路耦接在输入电极与射频接地电极之间,所述输入静电放电保护电路包括至少一个火花隙,所述至少一个火花隙被配置为将高于触发场强的静电放电耦接到所述射频接地电极。

7.根据权利要求6所述的用于移动设备的射频调谐器,其中所述触发场强小于用于所述无源可调谐集成电路的可变电容器中的钛酸锶钡的击穿电压,所述可变电容器包括根据无曲线拓扑结构布置的多个串联连接的电容器。

8.根据权利要求6所述的用于移动设备的射频调谐器,其中所述无源可调谐集成电路还包括:

输出静电放电保护电路,所述输出静电放电保护电路耦接在输出电极与所述射频接地电极之间,所述输出静电放电保护电路包括至少一个火花隙,所述至少一个火花隙被配置为将高于所述触发场强的所述静电放电耦接到所述射频接地电极。

9.一种保护无源可调谐集成电路免受静电放电影响的方法,所述方法包括:

制造可变电容器,所述可变电容器包括可调谐电介质材料;

在所述可变电容器上沉积第一金属层,所述第一金属层限定输入电极、输出电极、射频接地电极以及耦接在所述输入电极与所述射频接地电极之间的至少一个火花隙;以及

在所述第一金属层的至少一部分上沉积外涂层,其中所述第一金属层的所述至少一个火花隙不具有外涂层,以将所述至少一个火花隙的击穿电压降至低于所述可变电容器的击穿电压,使得具有能够破坏所述可变电容器的电压的静电放电被路由至所述射频接地电极。

10.根据权利要求9所述的保护无源可调谐集成电路的方法,所述方法还包括:

从所述至少一个火花隙移除所述外涂层,以将所述至少一个火花隙的击穿电压降至低于所述可变电容器的击穿电压,使得具有能够损坏所述可变电容器的电压的静电放电被路由至所述射频接地电极。

11.根据权利要求9所述的方法,其中所述可调谐电介质材料为钛酸锶钡。

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